|
東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布開(kāi)發(fā)精確度從DC至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器模擬模型。新模型由東芝和岡山縣立大學(xué)(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研制。 新的緊湊型MOS可變電抗器模型引入原始算法來(lái)表達尺度效應，并可捕捉到支配60 GHz范圍的寄生效應的影響。針對元件大小不同的樣品，使用了1 MHz - 60 GHz的測量參數進(jìn)行建模。一般而言，很難通過(guò)單模型來(lái)表示MOS可變電抗器，但是新開(kāi)發(fā)的模型卻成功做到了這一點(diǎn)。 新模型能夠準確捕捉到寄生效應，這就為實(shí)現RF-CMOS產(chǎn)品的低功耗提供了支持。東芝將利用基礎技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)此類(lèi)芯片，而這些芯片是該公司模擬與成像集成電路部門(mén)的主要器件。得益于目前已取得的成效，東芝預計將來(lái)可精確地對CMOS毫米波電路進(jìn)行模擬。 通過(guò)自身的65nm RF-CMOS技術(shù)，東芝已經(jīng)打造出了元件長(cháng)度從0.26um至2.0um不等的樣品，并使用這些樣品對新模型進(jìn)行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。 該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用于調頻組件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位噪聲水平依賴(lài)性進(jìn)行了測量，并與電路模擬進(jìn)行了比較。結果顯示，測量精度達8dB，優(yōu)于傳統模型2。 這些研發(fā)成果在12月4-7日在臺灣舉行的亞太微波會(huì )議(Asia-Pacific Microwave Conference)上進(jìn)行了展示。 |
