國際整流器公司 (IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開(kāi)關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開(kāi)關(guān)應用而優(yōu)化的解決方案。 IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 mΩ 的導通電阻，使整個(gè)負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關(guān)的損耗，并能實(shí)現反向恢復損耗，進(jìn)一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 mΩ 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關(guān)的擊穿。 IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開(kāi)關(guān)損耗及傳導損耗，還可為快速開(kāi)關(guān)提供極低的柵極電阻。
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