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美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)推出一款據稱(chēng)是業(yè)界最低噪聲的全新超高速運算放大器。這款型號為L(cháng)MH6629的PowerWise 芯片在10倍增益及900MHz -3dB帶寬操作時(shí)，其噪聲低至0.69nV/sqrt Hz。 這款芯片將高帶寬、大增益以及精準的信號放大性能等多種優(yōu)勢集為一體，特別，適合于對要求噪聲減至最低的系統16位的通信系統、測試和測量設備、醫療成像系統、工業(yè)設備及激光測速系統等等。 LMH6629芯片的輸入電流噪聲也極低(只有2.6pA/sqrt Hz)，在輸入頻率為 1MHz時(shí)，第2及第3諧波失真分別只有 -90dBc 及 -94dBc。 這款運算放大器不但具備低輸入噪聲、低失真及高速的優(yōu)點(diǎn)，而且直流電誤差極低，在攝氏25度時(shí)的最高輸入偏移電壓只有780uV，輸入偏移電壓漂移溫度系數(TCVos)則低至每度(攝氏)只有+/-0.45uV，從而確保交流及直流耦合系統信號的準確無(wú)誤。 LMH6629芯片的輸入共模電壓范圍在接地電壓以下，而輸出電壓擺幅不超過(guò) +/-0.8V，線(xiàn)性輸出電流則高達 +/-250mA 以上。 這款PowerWise運算放大器適用于 2.7V至5.5V之間的供電電壓范圍，耗電只有15.5mA。 由于這款芯片設有內部補償這個(gè)功能，因此系統無(wú)需加設外部補償電路，用戶(hù)也無(wú)需為此花費額外的設計時(shí)間，在這兩方面都優(yōu)于其他放大器。 系統設計工程師只要將最低增益選擇引腳拉上或拉下，便將LMH6629芯片的最低增益設置為 4 或 10。 LMH6629芯片采用美國國家半導體全新CBiCMOS8硅鍺(SiGe)互補雙極CMOS工藝技術(shù)制造。CBiCMOS8是目前業(yè)界最先進(jìn)的模擬工藝技術(shù)，其獨特之處是將硅鍺NPN及PNP晶體管集成在單芯片之內，另外還集成了低功率CMOS晶體管，使這款芯片無(wú)論在速度、線(xiàn)性特性、電路密度、功率及噪聲等方面都具備卓越表現，從而滿(mǎn)足高速模擬系統的嚴格要求。 LMH6629芯片采用8引腳LLP 封裝，適用于更大的工業(yè)溫度范圍(攝氏零下40度至125度)，現已開(kāi)始批量供貨，采購以1,000顆為單位，每顆售價(jià)1.88美元。 如欲查詢(xún)進(jìn)一步的資料，或訂購樣品及評估電路板，可瀏覽 http://www.national.com/pf/LM/LMH6629.html 網(wǎng)頁(yè)。 |
