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中芯國際集成電路制造有限公司0.13微米低功耗（LL）的嵌入式閃存（eFlash）工藝已正式進(jìn)入量產(chǎn)。該技術(shù)是中芯國際NVM非揮發(fā)性記憶體平臺的延續，為客戶(hù)提供了一個(gè)高性能、低功耗和低成本的差異化解決方案。 中芯國際的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)平臺可為客戶(hù)提供以下優(yōu)勢： •強耐度：具備高達300K周期的優(yōu)秀的循環(huán)擦寫(xiě)能力，達到業(yè)界標準的三倍； •極具成本效益：制程創(chuàng )新，使用較少的工藝步驟； •低漏電工藝適合極低功耗的應用并提升性能及可靠性：后段采用銅制程（Cu-BEoL）適合需要高電流密度的應用。 中芯國際的0.13微米低功耗嵌入式閃存技術(shù)擁有全面的IP，包括如PLL 、ADC 、LDO、USB等，同時(shí)融合了該技術(shù)低功耗、 高性能和高可靠性的特點(diǎn)，可適用于具有低功耗需求的廣泛的微控制器（MCU）應用包括移動(dòng)設備、智能卡等。此外，中芯國際預期將提供RF、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）方面的應用。 "我們?yōu)榭蛻?hù)對我們0.13微米差異化的嵌入式閃存技術(shù)的快速接受和積極反響感到鼓舞。"中芯國際市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和銷(xiāo)售執行副總裁麥克瑞庫表示，"我們很高興地看到0.13微米嵌入式閃存技術(shù)在觸摸控制器（TCIC, Touch Controller IC）上的應用已進(jìn)入量產(chǎn)。根據IHS-iSuppli市場(chǎng)調查顯示，觸摸控制器的全球需求量將從 2012年起實(shí)現21%的年復合增長(cháng)率，2017年將達到約 27 億個(gè)單元。" |
