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二、IC設計基礎（流程、工藝、版圖、器件） 1、我們公司的產(chǎn)品是集成電路，請描述一下你對集成電路的認識，列舉一些與集成電路相關(guān)的內容（如講清楚模擬、數字、雙極型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕蘭微面試題目） 2、FPGA和ASIC的概念，他們的區別。（未知） 答案：FPGA是可編程ASIC。 ASIC:專(zhuān)用集成電路，它是面向專(zhuān)門(mén)用途的電路，專(zhuān)門(mén)為一個(gè)用戶(hù)設計和制造的。根據一個(gè)用戶(hù)的特定要求，能以低研制成本，短、交貨周期供貨的全定制，半定制集成電路。與門(mén)陣列等其它ASIC(Application SpecificIC)相比，它們又具有設計開(kāi)發(fā)周期短、設計制造成本低、開(kāi)發(fā)工具先進(jìn)、標準產(chǎn)品無(wú)需測試、質(zhì)量穩定以及可實(shí)時(shí)在線(xiàn)檢驗等優(yōu)點(diǎn) 3、什么叫做OTP片、掩膜片，兩者的區別何在？（仕蘭微面試題目） 4、你知道的集成電路設計的表達方式有哪幾種？（仕蘭微面試題目） 5、描述你對集成電路設計流程的認識。（仕蘭微面試題目） 6、簡(jiǎn)述FPGA等可編程邏輯器件設計流程。（仕蘭微面試題目） 7、IC設計前端到后端的流程和eda工具。（未知） 8、從RTL synthesis到tape out之間的設計flow,并列出其中各步使用的tool.（未知） 9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題） 10、寫(xiě)出asic前期設計的流程和相應的工具。（威盛） 11、集成電路前段設計流程，寫(xiě)出相關(guān)的工具。（揚智電子筆試） 先介紹下IC開(kāi)發(fā)流程： 1.）代碼輸入（design input) 用vhdl或者是verilog語(yǔ)言來(lái)完成器件的功能描述，生成hdl代碼 語(yǔ)言輸入工具：SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR 圖形輸入: composer(cadence); viewlogic (viewdraw) 2.）電路仿真（circuit simulation) 將vhd代碼進(jìn)行先前邏輯仿真，驗證功能描述是否正確 數字電路仿真工具： Verolog： CADENCE Verolig-XL SYNOPSYS VCS MENTOR Modle-sim VHDL : CADENCE NC-vhdl SYNOPSYS VSS MENTOR Modle-sim 模擬電路仿真工具： ***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp 3.）邏輯綜合（synthesis tools) 邏輯綜合工具可以將設計思想vhd代碼轉化成對應一定工藝手段的門(mén)級電路；將初級仿真中所沒(méi)有考慮的門(mén)沿（gates delay）反標到生成的門(mén)級網(wǎng)表中,返回電路仿真階段進(jìn)行再仿真。最終仿真結果生成的網(wǎng)表稱(chēng)為物理網(wǎng)表。 12、請簡(jiǎn)述一下設計后端的整個(gè)流程？（仕蘭微面試題目） 13、是否接觸過(guò)自動(dòng)布局布線(xiàn)？請說(shuō)出一兩種工具軟件。自動(dòng)布局布線(xiàn)需要哪些基本元素？（仕蘭微面試題目） 14、描述你對集成電路工藝的認識。（仕蘭微面試題目） 15、列舉幾種集成電路典型工藝。工藝上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕蘭微面試題目） 16、請描述一下國內的工藝現狀。（仕蘭微面試題目） 17、半導體工藝中，摻雜有哪幾種方式？（仕蘭微面試題目） 18、描述CMOS電路中閂鎖效應產(chǎn)生的過(guò)程及最后的結果？（仕蘭微面試題目） 19、解釋latch-up現象和Antenna effect和其預防措施.（未知） 20、什么叫Latchup?（科廣試題） 21、什么叫窄溝效應? （科廣試題） 22、什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增強型、耗盡型？什么是PNP、NPN？他們有什么差別？（仕蘭微面試題目） 23、硅柵COMS工藝中N阱中做的是P管還是N管，N阱的阱電位的連接有什么要求？（仕蘭微面試題目） 24、畫(huà)出CMOS晶體管的CROSS-OVER圖（應該是縱剖面圖），給出所有可能的傳輸特性和轉移特性。（Infineon筆試試題） 25、以interver為例,寫(xiě)出N阱CMOS的process流程,并畫(huà)出剖面圖。（科廣試題） 26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.（威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09） 27、說(shuō)明mos一半工作在什么區。（凹凸的題目和面試） 28、畫(huà)p-bulk 的nmos截面圖。（凹凸的題目和面試） 29、寫(xiě)schematic note（？）， 越多越好。（凹凸的題目和面試） 30、寄生效應在ic設計中怎樣加以克服和利用。（未知） 31、太底層的MOS管物理特性感覺(jué)一般不大會(huì )作為筆試面試題，因為全是微電子物理，公式推導太羅索，除非面試出題的是個(gè)老學(xué)究。IC設計的話(huà)需要熟悉的軟件: Cadence,Synopsys, Avant，UNIX當然也要大概會(huì )操作。 32、unix 命令cp -r, rm,uname。（揚智電子筆試） |
