芯片散熱的熱傳導計算

發(fā)布時(shí)間:2010-6-9 11:13    發(fā)布者:我芯依舊
關(guān)鍵詞: 熱傳導 , 散熱 , 芯片
隨著(zhù)微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片的尺寸越來(lái)越小,同時(shí)運算速度越來(lái)越快,發(fā)熱量也就越來(lái)越大,如英特爾處理器3.6G奔騰4終極版運行時(shí)產(chǎn)生的熱量最大可達115W,這就對芯片的散熱提出更高的要求。設計人員就必須采用先進(jìn)的散熱工藝和性能優(yōu)異的散熱材料來(lái)有效的帶走熱量,保證芯片在所能承受的最高溫度以?xún)日9ぷ鳌?br />
如圖1所示,目前比較常用的一種散熱方式是使用散熱器,用導熱材料和工具將散熱器安裝于芯片上面,從而將芯片產(chǎn)生的熱量迅速排除。本文介紹了根據散熱器規格、芯片功率、環(huán)境溫度等數據,通過(guò)熱傳導計算來(lái)求得芯片工作溫度的方法。

圖1 散熱器在芯片散熱中的應用

芯片的散熱過(guò)程

由于散熱器底面與芯片表面之間會(huì )存在很多溝壑或空隙,其中都是空氣。由于空氣是熱的不良導體,所以空氣間隙會(huì )嚴重影響散熱效率,使散熱器的性能大打折扣,甚至無(wú)法發(fā)揮作用。為了減小芯片和散熱器之間的空隙,增大接觸面積,必須使用導熱性能好的導熱材料來(lái)填充,如導熱膠帶、導熱墊片、導熱硅酯、導熱黏合劑、相轉變材料等。如圖2所示,芯片發(fā)出的熱量通過(guò)導熱材料傳遞給散熱器,再通過(guò)風(fēng)扇的高速轉動(dòng)將絕大部分熱量通過(guò)對流(強制對流和自然對流)的方式帶走到周?chē)目諝庵,強制將熱量排除,這樣就形成了從芯片,然后通過(guò)散熱器和導熱材料,到周?chē)諝獾纳嵬贰?br />
圖2 芯片的散熱

表征熱傳導過(guò)程的物理量
圖3 一維熱傳導模型

在圖3的導熱模型中,達到熱平衡后,熱傳導遵循傅立葉傳熱定律:

Q=K·A·(T1-T2)/L         (1)

式中:Q為傳導熱量(W);K為導熱系數(W/m℃);A 為傳熱面積(m2);L為導熱長(cháng)度(m)。(T1-T2)為溫度差。

熱阻R表示單位面積、單位厚度的材料阻止熱量流動(dòng)的能力,表示為:

R=(T1-T2)/Q=L/K·A    (2)

對于單一均質(zhì)材料,材料的熱阻與材料的厚度成正比;對于非單一材料,總的趨勢是材料的熱阻隨材料的厚度增加而增大,但不是純粹的線(xiàn)形關(guān)系。

對于界面材料,用特定裝配條件下的熱阻抗來(lái)表征界面材料導熱性能的好壞更合適,熱阻抗定義為其導熱面積與接觸表面間的接觸熱阻的乘積,表示如下:  

Z=(T1-T2)/(Q/A)=R·A   (3)

表面平整度、緊固壓力、材料厚度和壓縮模量將對接觸熱阻產(chǎn)生影響,而這些因素又與實(shí)際應用條件有關(guān),所以界面材料的熱阻抗也將取決于實(shí)際裝配條件。導熱系數指物體在單位長(cháng)度上產(chǎn)生1℃的溫度差時(shí)所需要的熱功率,是衡量固體熱傳導效率的固有參數,與材料的外在形態(tài)和熱傳導過(guò)程無(wú)關(guān),而熱阻和熱阻抗是衡量過(guò)程傳熱能力的物理量。

圖4 芯片的工作溫度
芯片工作溫度的計算

如圖4的熱傳導過(guò)程中,總熱阻R為:

R=R1+R2+R3               (4)

式中:R1為芯片的熱阻;R2為導熱材料的熱阻;R3為散熱器的熱阻。導熱材料的熱阻R2為:

R2=Z/A                   (5)

式中:Z為導熱材料的熱阻抗,A為傳熱面積。芯片的工作溫度T2為:

T2=T1+P×R             (6)

式中:T1為空氣溫度;P為芯片的發(fā)熱功率;R為熱傳導過(guò)程的總熱阻。芯片的熱阻和功率可以從芯片和散熱器的技術(shù)規格中獲得,散熱器的熱阻可以從散熱器的技術(shù)規格中得到,從而可以計算出芯片的工作溫度T2。

實(shí)例

下面通過(guò)一個(gè)實(shí)例來(lái)計算芯片的工作溫度。芯片的熱阻為1.75℃/W,功率為5W,最高工作溫度為90℃,散熱器熱阻為1.5℃/W,導熱材料的熱阻抗Z為5.8℃cm2/W,導熱材料的傳熱面積為5cm2,周?chē)h(huán)境溫度為50℃。導熱材料理論熱阻R4為:

R4=Z/A=5.8 (℃·cm2/W)/   5(cm2)=1.16℃/W              (7)

由于導熱材料同芯片和散熱器之間不可能達到100%的結合,會(huì )存在一些空氣間隙,因此導熱材料的實(shí)際熱阻要大于理論熱阻。假定導熱材料同芯片和散熱器之間的結合面積為總面積的60%,則實(shí)際熱阻R3為:

R3=R4/60%=1.93℃/W    (8)

總熱阻R為:

R=R1+R2+R3=5.18℃/W     (9)

芯片的工作溫度T2為:

T2=T1+P×R=50℃+(5W×   5.18℃/W)=75.9℃           (10)

可見(jiàn),芯片的實(shí)際工作溫度75.9℃小于芯片的最高工作溫度90℃,處于安全工作狀態(tài)。

如果芯片的實(shí)際工作溫度大于最高工作溫度,那就需要重新選擇散熱性能更好的散熱器,增加散熱面積,或者選擇導熱效果更優(yōu)異的導熱材料,提高整體散熱效果,從而保持芯片的實(shí)際工作溫度在允許范圍以?xún)取?/td>
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