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晶體材料是現代電子和光電子技術(shù)的基礎。因此，這些材料的電子特性，如(各向異性) 電導率和光電導率以及與這些特性有關(guān)的 溫度依存性，都是研究人員關(guān)注的問(wèn)題。采用大量結晶技術(shù)的晶體生長(cháng)尺寸可能不大，但往往表現出極高的電阻。這個(gè)應用筆記說(shuō)明如何利用專(zhuān)門(mén)設計的測量室和分子束沉積(MBD)系統（在晶體或薄膜生長(cháng)過(guò)程中對其進(jìn)行現場(chǎng)測量）來(lái)測量高達1017Ω的電阻。 下載： 
2013122474.pdf
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