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日本知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向智能手機和移動(dòng)設備，開(kāi)發(fā)出無(wú)線(xiàn)供電接收控制IC“BD57011GWL”。 對于ROHM來(lái)說(shuō)，BD57011GWL是其打造無(wú)線(xiàn)供電用控制IC的第一款新產(chǎn)品，是根據作為無(wú)線(xiàn)供電標準備受矚目的WPC(Wireless Power Consortium)最新Qi標準Low Power Ver1.1開(kāi)發(fā)的。 
雖然是單芯片產(chǎn)品，但發(fā)熱量更低，與以往產(chǎn)品相比，供電時(shí)的溫升可降低約75%，縮減貼裝面積的同時(shí)實(shí)現了低發(fā)熱。不僅如此，搭載了業(yè)界首創(chuàng )的位置偏差檢測功能，可檢測位置偏差時(shí)的充電效率下降情況，因此，有助于提高設備的工作效率。 本產(chǎn)品計劃于2013年11月開(kāi)始出售樣品(樣品價(jià)格500日元)，于2014年2月開(kāi)始暫以月產(chǎn)50萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本浜松市)，后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)。 在移動(dòng)設備市場(chǎng)，無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)在為終端充電時(shí)無(wú)需使用電源線(xiàn)，有望提高設備連接器的防水及防塵性能，1個(gè)供電裝置即可支持多種終端，因而備受關(guān)注。 但是，該技術(shù)卻面臨一個(gè)巨大的課題，即通過(guò)無(wú)線(xiàn)收發(fā)智能手機等5W級別的電力時(shí)會(huì )嚴重發(fā)熱。 <特點(diǎn)> 1.單芯片，低發(fā)熱 采用最先進(jìn)的BiC-DMOS工藝，成功將MOSFET的導通電阻降到最低，雖為單芯片，發(fā)熱量卻更低，實(shí)現縮減貼裝面積與低發(fā)熱兩者兼得。與以往產(chǎn)品相比，供電時(shí)的溫升程度可降低約75%。
2.搭載業(yè)界首創(chuàng )的位置偏差檢測功能，充電效率更高 給終端充電時(shí)，如果不將終端設備置于供電裝置的中央，充電效率就會(huì )顯著(zhù)下降。位置偏差檢測功能對于終端的位置偏差，可發(fā)出警報提示，有助于進(jìn)一步提高充電效率。
WPC Qi標準 Low Power Ver1.1 最新的WPC Qi標準Low Power Ver1.1作為無(wú)線(xiàn)供電的國際標準于2012年4月制定完成。 與2010年最初制定的Low Power Ver1.0的不同之處在于，Ver1.1更關(guān)注安全性能的提升，新增了搭載FOD(異物檢測功能)的義務(wù)要求。 ROHM已加盟成為最多由25家組成的WPC的正式成員，從日益普及的無(wú)線(xiàn)供電標準“Qi”的制定階段就開(kāi)始積極參與協(xié)商制定。 以極高安全性著(zhù)稱(chēng)的FOD(Foreign Object Detection /異物檢測功能) FOD是最新的Qi標準所規定的有義務(wù)搭載的項目，金屬物體存在于收發(fā)器之間時(shí)，金屬發(fā)熱可能導致機殼變形或燒傷，搭載FOD可防患于未然，使設備安全性能顯著(zhù)提高。 要想實(shí)現FOD，需要發(fā)送側與接收側復雜的對接技術(shù)，ROHM通過(guò)融合本公司的模擬技術(shù)與集團公司LAPIS Semiconductor的數字技術(shù)，使FOD得以實(shí)現。 實(shí)際上，接收側進(jìn)行功率損耗計算時(shí)，可通過(guò)外置電阻設定每個(gè)接收單元不同損耗誤差的微調量，因此，實(shí)現了極具靈活性且高精度的FOD。
隨著(zhù)無(wú)線(xiàn)供電市場(chǎng)的增長(cháng)，Qi標準所支持的功率范圍也日趨增大。 針對Qi標準的日益普及，ROHM計劃充分發(fā)揮所擁有的集團內部的無(wú)線(xiàn)供電所必需的核心技術(shù)，進(jìn)行數據發(fā)送用控制IC與市場(chǎng)日益增長(cháng)的Medium Power(5W～)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。
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