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采用14/16nm FinFET和28nm工藝的小片芯占用面積PHY降低了消費類(lèi)、移動(dòng)、存儲及網(wǎng)絡(luò )應用的硅成本 新思科技公司（Synopsys）今日宣布：通過(guò)推出全新的DesignWare USB femtoPHY系列IP，已將USB PHY的實(shí)現面積縮小多達50％；從而可在28nm和14/16nmFinFET工藝節點(diǎn)上，將USB PHY設計的片芯占用面積和成本降至最低。采用28nm和14nm FinFET硅工藝的DesignWare USB femtoPHY已展示出穩固的性能，使設計師能夠在先進(jìn)工藝技術(shù)節點(diǎn)上實(shí)現該IP，同時(shí)降低系統級芯片（SoC）設計風(fēng)險。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY專(zhuān)為極小面積而優(yōu)化，滿(mǎn)足了諸如智能手機和平板電腦等移動(dòng)設備，以及諸如數字電視、存儲等網(wǎng)絡(luò )應用等大批量消費應用的嚴苛要求。 DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP（DWC SS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET和DWC HS USB femtoPHY Samsung 14nm FinFET）已經(jīng)在第三方實(shí)驗室中通過(guò)了USB-IF一致性測試。DesignWare USB femtoPHY達到或超過(guò)了USB-IF標準規范，包括5V耐壓和3.3V信令體制，提供了有利于系統配置運行全部規格定義功能的強大性能。DesignWare USB femtoPHY支持所有的USB應用模式，為系統設計師提供了一系列多樣化的SoC設計選項。DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY兩個(gè)產(chǎn)品都支持Hi-Speed高速、Full-Speed全速和Low-Speed低速運行，以及作為主控、設備和OTG等不同配置，同時(shí)DesignWare USB 3.0 femtoPHY還支持超高速USB運行（USB 3.0）。 “基于我們長(cháng)期成功使用DesignWare USB IP的經(jīng)驗，我們實(shí)現了帶有高品質(zhì)DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP芯片的一次流片成功，”三星電子晶圓代工市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁Shawn Han博士表示：“在三星晶圓代工廠(chǎng)中制造的帶有DesignWare USB femtoPHY IP的芯片，是首款采用14 nm FinFET工藝的、通過(guò)了USB-IF認證的芯片。通過(guò)集成一個(gè)面積顯著(zhù)縮小的PHY，提高了我們客戶(hù)系統級芯片的競爭力，并且簡(jiǎn)化了添加USB連接的過(guò)程。Synopsys的DesignWare femtoPHY夠滿(mǎn)足大批量移動(dòng)和消費類(lèi)應用的成本、功耗、性能和上市時(shí)間的需求，它們對于我們在這些快速發(fā)展的市場(chǎng)中獲得成功至關(guān)重要�！� 
該圖顯示了14nm FinFET工藝技術(shù)的Synopsys DesignWare USB3.0 femtoPHY的優(yōu)異性能和寬泛余量 Synopsys開(kāi)發(fā)的USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP使設計師能夠為其應用選擇最佳實(shí)現方式，而不犧牲USB一致性認證所要求的功能或性能。需要高性能的設計可以使用USB 3.0 femtoPHY符合SuperSpeed USB（USB 3.0）規范的5.0 Gbps數據傳輸速率。需要較低性能的應用可以使用USB 2.0 femtoPHY符合Hi-Speed USB（USB 2.0）規范的480MHz傳輸速率。兩種DesignWare USB femtoPHY都能夠將SoC外部所需的引腳數量降至最低，以進(jìn)一步縮減SoC的面積和成本。當PHY閑置時(shí)，關(guān)閉電源這一功能可將電池耗電量降至最低，同時(shí)保持所有的PHY狀態(tài)，以確�？焖�、精確的上電后功能。此外，DesignWare USB femtoPHY支持廣為使用的v1.2USB電池充電規范和USB On-The-Go (OTG) v2.0協(xié)議。 “18多年來(lái)，作為USB-IF的一名活躍成員，Synopsys一直不斷地開(kāi)發(fā)相關(guān)IP產(chǎn)品，簡(jiǎn)化了USB 3.0和USB 2.0接口的集成和應用，”USB應用者論壇總裁兼首席運營(yíng)官Jeff Ravencraft表示道：“獲得USB-IF認證表明一款產(chǎn)品符合USB-IF的互操作性標準，并且符合相應的USB規范。Synopsys提供的全新的、面積更小的DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY，使制造商能夠將該技術(shù)引入其SoC中�！� “SoC設計師已經(jīng)依靠Synopsys 在3,000多款設計和100多種工藝技術(shù)中實(shí)現了USB接口，使我們十多年來(lái)一直領(lǐng)跑USB IP供應，”Synopsys IP與原型設計市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)副總裁John Koeter表示：“我們能夠為先進(jìn)工藝技術(shù)提供高質(zhì)量IP這樣的專(zhuān)業(yè)技術(shù)和成功記錄，使設計師可集成能夠可靠地滿(mǎn)足其嚴格應用需求的IP。隨著(zhù)DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP的面市，以及在FinFET工藝中成功流片，我們將能夠幫助我們的客戶(hù)滿(mǎn)足業(yè)界對更小的、高性?xún)r(jià)比的、高性能的SoC需求�！� 供貨 采用領(lǐng)先14/16 nm FinFET 和28 nm工藝節點(diǎn)的DesignWare USB 2.0和USB 3.0 femtoPHY IP現在已經(jīng)開(kāi)始供貨。 |
