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來(lái)源：大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據報道，日前，恩智浦半導體與臺積電宣布合作，并推出業(yè)界首款采用16nm鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）技術(shù)的車(chē)用嵌入式磁阻式隨機存取存儲器（Magnetic Random Access Memory；MRAM）。 恩智浦介紹稱(chēng)，MRAM僅需約3秒就能更新20MB的代碼，能最大限度縮短軟件更新導致的停機時(shí)間，并讓汽車(chē)制造商消除因長(cháng)時(shí)間模組編程而造成的瓶頸。此外，MRAM還能提供高達百萬(wàn)次的更新周期，較NAND Flash和其他新興存儲器技術(shù)高出10倍，為車(chē)輛任務(wù)剖面（mission profile）提供高度可靠的技術(shù)。 臺積電16 FinFET嵌入式MRAM技術(shù)憑借其百萬(wàn)周期耐用度、支援焊錫回焊、以及攝氏150度下還能保留數據達20年，超越車(chē)載應用嚴格要求。 恩智浦半導體執行副總裁暨車(chē)用處理事業(yè)部總經(jīng)理Henri Ardevol表示：恩智浦與臺積電已合作數十年，MRAM是恩智浦S32車(chē)用解決方案系列的突破性新生力軍，支援下一代車(chē)輛架構。 |
