芯片解密后芯片失效如何分析？

星光電子

芯片解密常見(jiàn)問(wèn)題解答—芯片解密后失效分析的主要流程:

1、接受客戶(hù)不良品信息反饋及分析請求，并了解客戶(hù)相關(guān)信息。(指失效模式，參數值，客戶(hù)抱怨內容，型號，批號，失效率，所占比例等，與正常品相比不同之處)

2、記錄各項信息內容，以在長(cháng)期記錄中形成信息庫，為今后的分析工作提供經(jīng)驗值。

3、收集工藝信息，包括與此產(chǎn)品有關(guān)的生產(chǎn)過(guò)程中的人，機，料，法，環(huán)變動(dòng)的情況(老員工，新員工，班次，人員當時(shí)的工作狀態(tài)，機臺狀況，工夾具，所采用的原材料，工藝參數的變動(dòng)，環(huán)境溫濕度的變動(dòng)等)。

通常有：裝片機號，球焊機號，包封機號，后固化烘箱號，去飛邊機號，軟化線(xiàn)號，是否二次軟化，測試機臺，測試參數，料餅品種型號，引線(xiàn)條供應者及批號，金絲品種及型號，供應者等。

4、失效確認，可用測試機檢測功能、開(kāi)短路，以確認客戶(hù)反映情況是否屬實(shí)。

5、對于非開(kāi)短路情況，如對于漏電流大的產(chǎn)品要徹底清洗(用冷熱純水或有機溶劑如丙酮)后再進(jìn)行下述烘烤試驗：125度烘烤24小時(shí)或175度烘烤4小時(shí)以上，烘箱關(guān)電源后門(mén)打開(kāi)45度角緩慢冷卻1小時(shí)后再測其功能，如功能變好，則極有可能是封裝或者測試問(wèn)題，對封裝工藝要嚴查。

6、對于開(kāi)短路情況，觀(guān)察開(kāi)短路測試值是開(kāi)路還是短路，還是芯片不良，如是開(kāi)路或短路，則要注意是第幾腳開(kāi)路或短路，待開(kāi)帽后用萬(wàn)用表測量該腳所連的金絲的壓區與腳之間的電阻，以判斷該腳球焊是否虛焊。

7、對于大芯片薄形封裝產(chǎn)品要注意所用材料(如料餅，導電膠)是否確當，產(chǎn)品失效是否與應力和濕氣有關(guān)(125度烘烤24小時(shí)或175度烘烤4小時(shí)以上，烘箱關(guān)電源后，門(mén)打開(kāi)45度角緩慢冷卻1小時(shí)后再測其功能，如功能變好，則極有可能是封裝或者測試的問(wèn)題，對封裝工藝要嚴查，如檢查去飛邊方式，浸酸時(shí)間等。)

8、80倍以上顯微鏡觀(guān)察產(chǎn)品外形特征，特別是樹(shù)脂休是否有破裂，裂縫，鼓泡膨脹。(注膠口，腳與腳之間樹(shù)脂體和導電物)

9、對所有失效樣品進(jìn)行X-RAY檢查，觀(guān)察金絲情況，并和布線(xiàn)圖相比較，以判斷布線(xiàn)是否錯誤。如發(fā)現錯誤要加抽產(chǎn)品確認失效總數并及時(shí)反映相關(guān)信息給責任人。

10、C-SAM即SAT，觀(guān)察產(chǎn)品芯片分層情況。判斷規范另見(jiàn)。樣品數量為10只以?xún)?批。

11、開(kāi)帽：對于漏電流大的產(chǎn)品采用機械方式即干開(kāi)帽形式，其它情況用強酸即濕開(kāi)帽形式。切開(kāi)剖面觀(guān)察金絲情況，及金球情況，表面鋁線(xiàn)是否受傷，芯片是否有裂縫，光刻是否不良,是否中測，芯片名是否與布線(xiàn)圖芯片名相符。樣品數量為5只/批。對于開(kāi)短路和用不導電膠裝片的產(chǎn)品要用萬(wàn)用表檢測芯片地線(xiàn)和基島之間電阻檢查裝片是否有問(wèn)題。對于密間距產(chǎn)品要測量鋁線(xiàn)寬度，確認所用材料(料餅，導電膠，金絲)是否確當開(kāi)帽后應該再測試，根據結果進(jìn)一步分析。

12、腐球：觀(guān)察壓區硅層是否破裂，嚴重氧化(用王水或氫氧化鈉或氫氧化鉀)，腐球時(shí)注意要腐透(金絲徹底脫離芯片或溶化掉)，不能用細針去硬撥金絲以免造成人為壓區損壞。

13、開(kāi)帽時(shí)勿碰壞金絲及芯片，對于同一客戶(hù)，同型號，同擴散批，同樣類(lèi)型的失效產(chǎn)品涉及3個(gè)組裝批的，任抽一批最后對開(kāi)帽產(chǎn)品進(jìn)行測試看是否會(huì )變好。以確認是否是封裝問(wèn)題。

14、對開(kāi)帽后漏電流偏大的可以使用微光顯微鏡檢查。

15、對開(kāi)帽后的芯片最好用SEM仔細檢查有無(wú)如微小缺陷、氧化層穿孔等缺點(diǎn)。

16、失效分析主要依照：EOS、ESD、封裝缺陷、芯片缺陷、CMOS閂鎖、設計缺陷、可靠性(如水汽進(jìn)入、沾污等)展開(kāi)。

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