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IC致力于通過(guò)新一代“TaRF6”工藝改善智能手機的性能 東芝已面向支持LTE-Advanced技術(shù)的智能手機開(kāi)發(fā)出SP12T[1]射頻(RF)天線(xiàn)開(kāi)關(guān)集成電路(IC)，實(shí)現業(yè)內最低水平的插入損耗[2,4]和射頻失真[3,4]。樣品出貨即日啟動(dòng)。 隨著(zhù)移動(dòng)通信技術(shù)的普及，射頻頻帶和數據傳輸速率的量也正顯著(zhù)增加。對移動(dòng)設備射頻電路中所使用的天線(xiàn)開(kāi)關(guān)IC的要求正逐漸朝著(zhù)多端口，以及改善射頻性能的方向發(fā)展。此外，為了滿(mǎn)足新興市場(chǎng)高數據傳輸速率移動(dòng)通信設備急劇增長(cháng)的要求，以具有成本效益的方式來(lái)改善這些射頻性能實(shí)屬必要。 為了響應這些要求，東芝現已開(kāi)發(fā)出新一代采用絕緣體上硅(SOI)技術(shù)[6]的TarfSOITM（東芝高級射頻SOI技術(shù)）[5]工藝“TaRF6”。TarfSOITM實(shí)現了將模擬、數字和射頻電路集成于單一芯片的目標。相比其它的傳統解決方案，例如砷化鎵(GaAs)，該工藝提供了一種高性?xún)r(jià)比解決方案，支持高度復雜的切換功能和射頻性能。 借助“TaRF6”新工藝，為射頻開(kāi)關(guān)應用定制的金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)已被開(kāi)發(fā)并應用于新型SP12T射頻天線(xiàn)開(kāi)關(guān)IC中，從而帶來(lái)0.42dB插入損耗(f=2.7GHz)以及-90dBm二次諧波失真[7]的性能。與之前的“TaRF5”工藝相比，插入損耗(f=2.7GHz)降低了0.26dB，二次諧波失真降低18dB。較低的插入損耗可降低智能手機的功耗，而較低的諧波失真則有利于開(kāi)發(fā)需要低失真的載波聚合[8]智能手機。 
東芝將于今年年底擴大采用具有低插入損耗和低失真的“TaRF6”工藝的產(chǎn)品陣容，以滿(mǎn)足全球正在部署的長(cháng)期演進(jìn)(LTE)技術(shù)所需的多端口和復雜功能的要求，而LTE-Advanced[9]技術(shù)有望緊隨其后。此外，東芝正考慮提供采用TarfSOITM技術(shù)的SOI晶圓代工服務(wù)。 注釋 [1]單刀12擲開(kāi)關(guān) [2]當電流在射頻電路中從一端流向另一端時(shí)所產(chǎn)生的電功率損耗，以分貝表示。 [3]當電流在射頻電路中從一端流向另一端時(shí)，輸出信號中出現的多余頻率分量。 [4]截至2014年9月10日的射頻天線(xiàn)開(kāi)關(guān)市場(chǎng)。東芝調查。 [5]TarfSOITM是東芝公司的商標。 [6]該技術(shù)在MOSFET的通道下形成一層絕緣膜，并降低雜散電容，以改善CMOS LSI的速度和功率節省量。 [7]具有2倍頻率的失真分量。 [8]一種同時(shí)使用多個(gè)頻率載波來(lái)增加傳輸數據速率的技術(shù)。為了避免與接收器頻段重疊的諧波分量的接收性能出現下降，該應用需要更低的諧波性能。 [9]一種由3GPP標準開(kāi)發(fā)組織制定的新通信標準。由國際電信聯(lián)盟(ITU)定義的第4代移動(dòng)通信系統中的一種。 |
