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臺積電25日宣布與海思半導體有限公司合作，已成功產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET工藝及ARM架構為基礎之功能完備的網(wǎng)通處理器。這項里程碑強力證明了雙方深入合作的成果，同時(shí)也展現了臺積電堅持提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)的承諾，以滿(mǎn)足客戶(hù)對下一世代高效能及具節能效益產(chǎn)品之與日俱增的需求。 臺積電的16FinFET工藝能夠顯著(zhù)改善速度與功率，并且降低漏電流，有效克服先進(jìn)系統單芯片技術(shù)微縮時(shí)所產(chǎn)生的關(guān)鍵障礙。相較于臺積電的28納米高效能行動(dòng)運算（28HPM）工藝，16FinFET工藝的芯片閘密度增加兩倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。 臺積電總經(jīng)理暨共同執行長(cháng)劉德音博士表示：“我們在FinFET領(lǐng)域的研發(fā)已經(jīng)超過(guò)十年，很高興龐大的努力獲得回饋并締造此項成就。我們相信能發(fā)揮此項技術(shù)的最大效益，并在專(zhuān)業(yè)集成電路服務(wù)領(lǐng)域的先進(jìn)工藝上，繼續保持長(cháng)期領(lǐng)先地位的優(yōu)良紀錄�！� 臺積電的16FinFET工藝早于2013年十一月即完成所有可靠性驗證，良率表現優(yōu)異，并進(jìn)入試產(chǎn)階段，為臺積電與客戶(hù)的產(chǎn)品設計定案、試產(chǎn)活動(dòng)與初期送樣打下良好基礎。 藉由臺積電的16FinFET工藝，海思半導體得以生產(chǎn)具顯著(zhù)效能與功耗優(yōu)勢的全新處理器，以支持高階網(wǎng)通應用產(chǎn)品。海思半導體同時(shí)亦采用臺積電經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗證且能整合多元技術(shù)芯片的CoWoS®三維集成電路封裝技術(shù)，能有效整合16納米邏輯芯片與28納米輸出/輸入芯片，提供具成本效益的系統解決方案。 海思半導體總裁何庭波表示：“很高興在臺積電FinFET技術(shù)及CoWoS®解決方案的支持下，我們成功開(kāi)發(fā)下一代面向無(wú)線(xiàn)通信和路由器應用的通信處理器并得以量產(chǎn)。該芯片采用ARM V8架構，集成32核A57，主頻可達2.6GHz，使用CoWoS®封裝技術(shù),具有豐富的通信接口和通信加速器。該芯片的調度、轉發(fā)和信令處理能力較前一代芯片性能提升3倍，支持虛擬化，可以支持SDN和NFV，應用于未來(lái)的基站、路由器、核心網(wǎng)等通信設備。通過(guò)大幅提升關(guān)鍵指標，極大提升了產(chǎn)品的競爭力�！� |
