ST的600W - 250V RF晶體管采用最新高壓技術(shù),實(shí)現體積更小、性能更可靠的E級工業(yè)電源

發(fā)布時(shí)間:2014-11-4 15:33    發(fā)布者:eechina
意法半導體(ST)的13.6MHz RF功率晶體管STAC250V2-500E具有市場(chǎng)領(lǐng)先的穩定性和高功率密度 (power density) 。采用熱效率 (thermally efficient) 極高的微型封裝,可用于大輸出功率的E級工業(yè)電源。



STAC250V2-500E的負載失匹率 (load-mismatch) 為20:1,處于市場(chǎng)最高水平,最大安全功率高達600W。與采用傳統陶瓷封裝的解決方案相比,0.55x1.35吋STAC® 氣室封裝 (air-cavity package) 可縮減產(chǎn)品尺寸約50%。兩支STAC250V2-500E晶體管的占位面積小于一個(gè)陶瓷晶體管,可實(shí)現高于1kW的小型電源設計。氣室封裝可降低25%的熱電阻率 (thermal resistance) ,這有助于提高晶體管的工作可靠性。

STAC250V2-500E的產(chǎn)品優(yōu)勢可確保目標應用的卓越性能,包括感應加熱器 (induction heater),等離子體增強氣相沉積系統 (plasma-enhanced vapor-deposition system) 和太陽(yáng)能電池和平板電視的制造設備。

STAC250V2-500E采用意法半導體最新的SuperDMOS高壓技術(shù),最大工作電壓為250V;而高于900V的擊穿電壓 (breakdown voltage) 確保E級電感式諧振電路 (inductive resonant circuit) 或D級功率放大器 (power amplifier) 等其它應用的穩定性。

STAC250V2-500E目前已開(kāi)始量產(chǎn),采用 STAC177 封裝。

欲了解更多關(guān)于STAC250V2-500E的 產(chǎn)品詳情,請登錄http://www.st.com/rfdmos

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