Qorvo采用全新GaAs工藝提高光帶寬,最新TQPHT09 90nm pHEMT適用于下一代高頻放大器

發(fā)布時(shí)間:2015-4-28 09:52    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: pHEMT , 高頻放大器 , Qorvo , GaAs , 光帶寬
Qorvo, Inc.推出一項全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術(shù),與競爭對手的半導體工藝相比,該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一種90 nm pHEMT工藝,能夠支持Qorvo的下一代光產(chǎn)品組合。這種新工藝具備Qorvo業(yè)界領(lǐng)先的可靠性,非常適合100G+線(xiàn)性應用所需的下一代高頻高性能放大器。

TQPHT09在Qorvo位于德克薩斯州里查德遜的業(yè)界領(lǐng)先GaAs工廠(chǎng)制造,也是該公司久負盛譽(yù)的pHEMT工藝產(chǎn)品組合中的最新產(chǎn)品。Qorvo的TQPHT09為多種新型光調制器驅動(dòng)器產(chǎn)品奠定了基礎,包括該公司最先進(jìn)的四通道100G調制器驅動(dòng)器TGA4960-SL。TGA4960-SL具有CFP2外形尺寸,適合地鐵和長(cháng)距離運輸應用,也非常適合升級面向線(xiàn)路卡應用的100G線(xiàn)性雙通道驅動(dòng)器。該產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化,實(shí)現高性能和低功耗,提供高度的通道間隔離,采用14.0 x 8.0 x 2.6 mm SMT模塊封裝,具有業(yè)界最小的封裝尺寸。

Qorvo基礎設施和國防產(chǎn)品部總裁James Klein表示:“Qorvo持續投資開(kāi)發(fā)業(yè)界最具競爭力的半導體工藝技術(shù),打造適用于下一代產(chǎn)品的同類(lèi)最佳元器件。Qorvo的新型90 nm pHEMT工藝展示了我們在提供面向高速市場(chǎng)應用的元器件方面處于領(lǐng)先地位,能夠提供客戶(hù)期望的質(zhì)量、可靠性和可靠供貨源!

若要了解有關(guān)TQPHT90工藝優(yōu)勢、TGA4960-SL和其他高性能驅動(dòng)器模塊以及面向100G+應用的TIA的更多信息,請訪(fǎng)問(wèn)www.qorvo.com/optical。

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