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介紹SDRAM電路設計之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內部是一個(gè)存儲陣列，可以把它想象成一個(gè)表格，和表格的檢索原理一樣，先指定行，再指定列，就可以準確找到所需要的存儲單元，這是內存芯片尋址的基本原理，這個(gè)表格稱(chēng)為邏輯Bank。由于技術(shù)、成本等原因，不可能只做一個(gè)全容量的Bank，而且由于SDRAM工作原理限制，單一的Bank會(huì )造成非常嚴重的尋址沖突，大幅降低內存效率，所以在SDRAM內部分割成多個(gè)Bank，目前的SDRAM基本都是4個(gè)Bank。存儲陣列示意如圖1所示： 圖1 SDRAM存儲陣列示意圖 圖2 SDRAM引腳配置方案 圖2是S3C2440A手冊提供的SDRAM bank地址的配置方案，維護系統使用的SDRAM是HY57V561620FTP-H，它的規格是4*4M*16bit（使用兩片是為了配置成32位的總線(xiàn)寬度），BANK大小是4M*16=64MB，總線(xiàn)寬度是32位，器件大小是4*BANK大小=256Mb，寄存器配置就是（4M*16*4B）*2，根據圖2可知，SDRAM上的BANK地址引腳（BA[1:0]）與S3C2440的A[25:24]相連。 圖3 S3C2440A控制地址總線(xiàn)連接 圖3是寄存器控制地址總線(xiàn)連接方式，我們使用2片SDRAM配置成32位的總線(xiàn)寬度，所以SDRAM上的A[12:0]接到S3C2440的A[14:2]引腳。具體的SDRAM電路連接如圖4所示： 圖4 SDRAM電路連接圖 SDRAM的地址引腳是復用的，在讀寫(xiě)SDRAM存儲單元時(shí)，操作過(guò)程是將讀寫(xiě)地址分兩次輸入到芯片中，每一次由同一組地址線(xiàn)送入，兩次送入到芯片上去的地址分別稱(chēng)為行地址和列地址，它們被鎖存到芯片內部的行地址鎖存器和列地址鎖存器。下面是該芯片的部分信號說(shuō)明： nSRAS：SDRAM行地址選通信號 nSCAS：SDRAM列地址選通信號 nSCS：SDRAM芯片選擇信號（選用Bank6作為sdram空間，也可以選擇Bank7） nWBE[3:0]：SDRAM數據屏蔽信號 SCLK0[1]：SDRAM時(shí)鐘信號 SCKE：SDRAM時(shí)鐘允許信號 LDATA[0:31]:32位數據信號 LADDR［2:14］：行列地址線(xiàn) LADDR[25:24]：bank選擇線(xiàn) |
