ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計劃,拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺

發(fā)布時(shí)間:2015-8-13 10:20    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 光電子 , 光濾波
拓展的制程服務(wù)為晶圓代工客戶(hù)提供更高靈敏度和更小尺寸的先進(jìn)光電子器件

ams(艾邁斯)晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺,幫助芯片設計者實(shí)現更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。

該平臺是ams“More than Silicon”計劃中的另一項拓展,通過(guò)該平臺ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識產(chǎn)權、元件庫、工程咨詢(xún)及服務(wù),利用其專(zhuān)業(yè)技術(shù)幫助客戶(hù)順利開(kāi)發(fā)先進(jìn)的模擬和混合信號電路。

ams專(zhuān)有的光電子晶圓代工平臺基于先進(jìn)的0.35µm CMOS光電制程,在前端(器件層面)、后端(晶圓制造后期處理步驟)以及封裝和裝配層面都進(jìn)行了技術(shù)提升和開(kāi)發(fā)。

在器件層面,ams現為晶圓代工客戶(hù)提供在自定義波長(cháng)內(從藍光到近紅外光)可實(shí)現最優(yōu)化光譜響應和最小化暗電流率的PN二極管,以及結合了超低電容值和高量子效率的PIN二極管。

在晶圓加工過(guò)程的后端,光電子器件的性能可以通過(guò)應用各種CMOS晶圓頂部涂層得到進(jìn)一步提升。ams推出了抗反射涂層(ARC)以及干涉濾波器:以多種高透明度的氧化物堆棧形式實(shí)現,可以實(shí)現高精度的邊緣和帶通濾波器(如阻隔IR和UV),以及準確反射率的反光鏡或分束鏡?蛻(hù)可在一個(gè)較寬的范圍內自定義波長(cháng)、斜率等濾波性能。此外,通過(guò)針對特定波長(cháng)優(yōu)化處理后的粘合顏色層(紅、綠、藍),可以幫助感光器件實(shí)現性能優(yōu)化。

低引腳數IC現采用高性?xún)r(jià)比、透明的塑料封裝(以基板或者引腳框架為基礎)。運用ams專(zhuān)利硅穿孔(TSV)技術(shù)的先進(jìn)3D-WLCSP封裝在透射率、濕度敏感水平、溫度范圍以及高引腳數量方面都實(shí)現了優(yōu)化,全面提升ams光電子平臺封裝水平。

ams多樣的光電子設器件種類(lèi)及后端制程可讓模擬/混合信號設計者實(shí)現其集成電路在波長(cháng)、量子效率、響應率、暗電流以及器件反應時(shí)間等重要指標上的優(yōu)化。

ams晶圓代工業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示:“所有二極管的信息,包括布局發(fā)生器(Pcells)、高精度仿真模型、設計規格以及制程工藝參數,都可在ams基準制程設計套件中獲得。ams晶圓代工團隊十分期望與先進(jìn)光電系統開(kāi)發(fā)者進(jìn)行合作。我們一流的設計環(huán)境以及專(zhuān)業(yè)的咨詢(xún)服務(wù)可讓合作伙伴將開(kāi)發(fā)風(fēng)險和難度降到最低,使他們獲得高性能的光電子解決方案,并更快地將產(chǎn)品推向市場(chǎng)!

如需獲得更多關(guān)于晶圓代工產(chǎn)品的信息和技術(shù)服務(wù)內容,請訪(fǎng)問(wèn)www.ams.com/foundry。
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