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Q3是一個(gè)PNP型開(kāi)關(guān)，此開(kāi)關(guān)控制另一PNP型開(kāi)關(guān)Q4，Q5是另另一NPN型開(kāi)關(guān)，與本文無(wú)關(guān)。 實(shí)驗是想研究Q3偏置電阻對Q4導通情況的影響。電路的設計需求是Q3導通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導通而VCE較大時(shí)，Q4也隨之導通。這種情況在Q3負載電容R29固定時(shí)，往往是由R27取特定范圍值導致的。在PSpice中做個(gè)DC掃描，R27從100k變化到10M，結果發(fā)現Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導通了，而且R29的電流不會(huì )降低太多，也就是R29的分壓沒(méi)降低多少Q4即可導通，此時(shí)Q3對R29分壓影響迅速降低，Q4開(kāi)始保持R29的分壓。這個(gè)電路的問(wèn)題在于Q3對Q4的開(kāi)關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒(méi)有問(wèn)題，否則會(huì )導致之前所擔憂(yōu)的情況。 嘗試在Q3與Q4之間增加一個(gè)二極管，以增加Q4導通的門(mén)檻。結果發(fā)現有一點(diǎn)點(diǎn)用，但是這個(gè)二極管的壓降還很小，對開(kāi)關(guān)性能的改善不大。無(wú)論把這個(gè)二極管換成數個(gè)二極管的串聯(lián)，還是換成穩壓管，漏電流都是個(gè)問(wèn)題，足以造成Q4的弱導通，這里就不上圖了。下一步考慮MOS管。 圖1 圖2 圖3 圖4 |
