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IDT公司的F2923在開(kāi)關(guān)切換時(shí)能夠在所有端口提供恒定阻抗，同時(shí)不影響隔離度、線(xiàn)性度或插入損耗 IDT公司推出業(yè)界首款采用正在申請專(zhuān)利的KZ恒阻抗技術(shù)的單極雙擲（SPDT）RF開(kāi)關(guān)產(chǎn)品， IDT F2923是一款低插入損耗單極雙擲吸收式（absorptive）RF開(kāi)關(guān)，設計用于包括基站（2G，3G，4G，5G）、無(wú)線(xiàn)回程、CATV和便攜式手持設備等多種RF應用。 
F2923采用的KZ技術(shù)可以在射頻端口間切換時(shí)控制所有端口的阻抗，保持了回波損耗。對于沒(méi)有采用KZ技術(shù)的常規開(kāi)關(guān)，由于在開(kāi)關(guān)時(shí)不能很好地控制開(kāi)關(guān)阻抗，因而在切換RF路徑時(shí)會(huì )產(chǎn)生較大的電壓駐波比（VSWR）瞬態(tài)，該VSWR瞬態(tài)會(huì )降低系統性能以及可靠性。在各種不同的動(dòng)態(tài)或“熱交換”方案下，KZ技術(shù)的優(yōu)勢包括：
IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens 介紹說(shuō)：“對于最新的SPDT開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，我們要強調能夠大幅改善開(kāi)關(guān)在線(xiàn)切換性能的新KZ技術(shù)。F2923的推出再次證明IDT公司在系統設計專(zhuān)家所期望的核心RF技術(shù)創(chuàng )新方面的領(lǐng)導地位�！� 除了KZ技術(shù)，該器件還可提供下述性能：
IDT公司創(chuàng )新的KZ技術(shù)覆蓋從300kHz至8000MHz的寬頻率范圍，在從一個(gè)RF端口切換到另一個(gè)時(shí)能夠確保器件具有近乎恒定的阻抗（VSWR <1.4：1，其他標準開(kāi)關(guān)相比之下為9:1），同時(shí)不影響隔離度、線(xiàn)性度或插入損耗。F2923采用3.3V單電源正電壓供電，支持標準的1.8V和3.3V控制邏輯電平。 供貨信息 F2923開(kāi)關(guān)目前可提供樣片，以4×4mm 20-TQFN封裝供貨。 |
