2016聚焦國內3D-NAND Flash開(kāi)發(fā)進(jìn)度

亞光彩

【路之遙電子網(wǎng)訊】雖然全球半導體行業(yè)形勢嚴峻，但國內相關(guān)行業(yè)廠(chǎng)商任能把握機遇，找準彎道切入點(diǎn)，根據DRAMeXchange2016數據表明2016年整體NAND Flash產(chǎn)值僅年增長(cháng)0.2%，達266億美元， 而其中3D-NAND Flash開(kāi)發(fā)進(jìn)度為聚焦重點(diǎn)。

3D NAND技術(shù)與現有的2D NAND(納米制程技術(shù))截然不同，2D NAND是平面結構而3D NAND是立體結構，3D NAND結構是以垂直半導體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極(GAA)結構形成多電柵級存儲器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能顯著(zhù)提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存儲密度的同時(shí)降低成本。

以三星的3D NAND產(chǎn)品為例，它比1x納米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且擁有隨機寫(xiě)入功能。3D NAND Flash技術(shù)的出現及其帶來(lái)的市場(chǎng)格局變化，為我國集成電路制造企業(yè)進(jìn)入主流存儲器制造領(lǐng)域提供了有利的契機。洪沨認為，相對于DRAM，后者對于后進(jìn)者的技術(shù)和成本壁壘更高。

2016年是制程轉進(jìn)以及產(chǎn)品結構轉換的關(guān)鍵時(shí)期。特別是15/16納米在2015年第三季成為主流制程后，后續制程微縮的空間將面臨瓶頸，再加上三星早已量產(chǎn)3D-NAND Flash并成功打開(kāi)在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash廠(chǎng)商也陸續從今年第四季開(kāi)始加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)。DRAMeXchange預估2016年總晶圓投片量(12寸約當)達到1670萬(wàn)片，年增長(cháng)12%，而因3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)加速進(jìn)行，預估2016年位元供給率將較今年大幅增長(cháng)50%，為近四年來(lái)新高。

楊文得表示，今年中國半導體廠(chǎng)商投資NAND Flash存儲相關(guān)公司的腳步加快，以及在NAND Flash上中下游產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，未來(lái)3-5年中國廠(chǎng)商以及中國市場(chǎng)將對NAND Flash產(chǎn)業(yè)的變化扮演關(guān)鍵地位。

受十三五規劃以及相關(guān)政策的影響，在存儲芯片領(lǐng)域國內今年發(fā)展迅速，三星NAND Flash產(chǎn)業(yè)在西安設廠(chǎng)就是其中之一。一直以來(lái)，中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲器市場(chǎng)高達800億美元，占據全球95%以上的市場(chǎng)份額。而中國每年進(jìn)口的存儲芯片就占55%的全球市場(chǎng)份額。

隨著(zhù)全球存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)持續更新，對單顆芯片容量的密度要求越來(lái)越大。因而國內廠(chǎng)商因緊抓機遇，實(shí)現3D-NAND Flash開(kāi)發(fā)的“彎道超車(chē)”，以填補存儲芯片領(lǐng)域的空白。