|
本文介紹了直流通路下的共射、共集、共基放大電路分析。 共射級放大電路 圖1 基本的共射放大電路如圖所示，在模電書(shū)里應該經(jīng)常遇見(jiàn)，不過(guò)那時(shí)更多的是分析靜態(tài)工作點(diǎn)，交、直流放大倍數，然而在真正的電路設計中，R1和R2的取值范圍應該是多少呢?或者說(shuō)它們應該如何取值呢? 已知NPN型管2N2219是硅型管，處于放大正常工作時(shí)飽和電壓Ube=0.7V。首先是對R1的選擇，2N2219的Ib最大值是800mA，僅僅選取R1使其電流值小于800mA顯然是不行的，一般Ib的電流值為幾mA到uA，因為Ic最大值是800mA，按照普通的100倍的放大倍數算Ib最大也只能到8mA 按此標準就可以取值了，比如R1=10k(先分析分析看是否合適)，這時(shí)Ib=0.43mA,假設放大倍數是100倍(粗略估算，所以取這個(gè)值)則Ic=43mA，為了使三極管工作在放大區，必須要求Uce>Ube,則Uce起碼應該大于0.7V，恩，假設是1v(應該比這大，因為在動(dòng)態(tài)條件下還會(huì )有一個(gè)交流信號，要防止出現飽和失真)，那么R2應該取值為R2=(12-1)V/43mA=256Ω，即R2不能比256大了(估算，放大倍數等等很多因素在，但是就是在這個(gè)附近)。所以可以取R2=200Ω及其以下(R2越小則Uce越大) 仿真如下所示 圖2 R2=50Ω 圖3 R2=200Ω 圖4 R2=350Ω，進(jìn)入飽和區。 如果R1=1k可以再計算一下，Ib=4.3mA,Ic=430mA,R2只能取26Ω以下，這樣一來(lái)就對電阻的要求太高了。 同時(shí)應該注意到一個(gè)現象，當R2=50Ω或200Ω的時(shí)候在Ib沒(méi)變時(shí)Ic發(fā)生了變化，從77.5mA變到了45.5mA，跟按照三極管輸出特性曲線(xiàn)好像不重合啊(好像跟飽和區的性質(zhì)差不多：Ic隨Uce的增大而增大)。 下面說(shuō)一下三極管的各種狀態(tài)： 圖5 三極管輸出特性曲線(xiàn) 其實(shí)圖上的只是在理想狀態(tài)下的曲線(xiàn)，在實(shí)際中平行的那部分應該也是向上的，只不過(guò)角度沒(méi)有在飽和區那么大罷了。而在判斷一個(gè)三極管是否在飽和區也不能看是否是Ic隨Uce的增大而增大，而應該看Ube增大時(shí)，Ib隨之增大，但Ic增大不多。 圖6 注意跟圖4比較，此時(shí)Ib明顯增大但Ic基本沒(méi)變 圖7 跟圖2比較，Ib增大時(shí)Ic也增大，處于放大區。 共集電極放大電路 圖8 共集電極放大電路 圖8中的R1，R2如何選擇呢?由于R2是在發(fā)射極上，所以Uce電壓肯定大于5v，也就是說(shuō)集電結反偏，這時(shí)只要保證發(fā)射結正偏而Ib電流值合適就可以了。所以R1，R2的選擇只用跟著(zhù)十幾要求就可以了，比較廣泛，都可以從幾百歐到幾k R1的選取對電路電流的影響不大，關(guān)鍵是R2,R2越大基極和射極電流就越小。 共基極放大電路： R1，R2應該選擇多少呢? Ie一般都是在幾十mA，假定Ie=43mA、此時(shí)R1約為100Ω，Ic約等于Ie=43mA，為了保證Uce反向偏置，還要保證Uce>1v則R2最大取256Ω，根據Uo的輸出情況可以取R2為幾十到200之間 |
