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雖然臺積電在16nm FinFET工藝量產(chǎn)上略遜于英特爾、三星等巨頭，但在10nm的工藝上卻處于暫時(shí)領(lǐng)先的位置；日前，臺積電宣布10nmFinFET工藝已投入量產(chǎn)。 
在不久前的股東會(huì )議上，臺積電高調公布了2016年二季度運營(yíng)及技術(shù)發(fā)展情況，并將資本支出提高至105億美元（比英特爾高出近5億美元），顯示出股東對公司未來(lái)的發(fā)展非�？春�。 會(huì )議上，臺積電CEO劉德音公布了工藝進(jìn)展：已經(jīng)有三個(gè)客戶(hù)使用10nm工藝完成流片。雖然劉德音沒(méi)有公布這三位電子元器件和IC客戶(hù)的具體信息，但能用得起10mn工藝芯片的也就是蘋(píng)果（A10）、聯(lián)發(fā)科（X30）和海思（新一代麒麟處理器）。劉德音還表示，年底前將會(huì )收到更多客戶(hù)的10nm芯片流片訂單。 此外，臺積電還計劃在2020年完成5nm工藝的研發(fā)，預計在量產(chǎn)（7nm/5nm工藝）的時(shí)候使用EUV光刻工藝。以提高密度、簡(jiǎn)化工藝并降低成本。EUV是新一代半導體工藝突破的關(guān)鍵，利用遠紫外光的EUV曝光技術(shù)作為可使電子元器件和IC等半導體進(jìn)一步微細化，因此備受期待。早期臺積電和三星還為了首先使用EUV工藝打過(guò)嘴仗。
目前臺積電公司已經(jīng)在7nm節點(diǎn)研發(fā)上使用了EUV工藝，實(shí)現了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。 臺積電表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年第一季度還會(huì )再購買(mǎi)2臺。 之前有報道稱(chēng)三星也購買(mǎi)了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機，目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn)（芯易網(wǎng)注）。 在7nm工藝方面也進(jìn)展順利，臺積電宣稱(chēng)已經(jīng)提前56Mb SRAM芯片。劉德音稱(chēng)臺積電的7nm工藝無(wú)論在功耗、性能以及PPA密度等方面，都比對手（英特爾、三星）出色，預計2017年上流片、2018年正式量產(chǎn)。 |
