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來(lái)源：中關(guān)村在線(xiàn) 2015年Intel、三星、TSMC都已量產(chǎn)16/14nm FinFET工藝，下一個(gè)節點(diǎn)是明年的10nm，而10nm之后的半導體制造工藝公認越來(lái)越復雜，難度越來(lái)越高，甚至可能讓摩爾定律失效，需要廠(chǎng)商拿出更多投資研發(fā)新技術(shù)新材料。 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過(guò)他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì )量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì )用上EUV光刻工藝。 TSMC日前舉行股東會(huì )議，雖然董事長(cháng)張忠謀并沒(méi)有出席，不過(guò)兩大聯(lián)席CEO劉德音、魏哲家及CFO何麗梅都出席了會(huì )議，公布了TSMC公司Q2季度運營(yíng)及技術(shù)發(fā)展情況，該公司調高了今年的資本支出到95-105億美元，高于Intel公司的90-100億美元，顯示對未來(lái)發(fā)展的看好。 至于工藝進(jìn)展，劉德音公布了TSMC的2020路線(xiàn)圖，認為EUV光刻工藝在2020年時(shí)能有效降低量產(chǎn)5nm工藝的成本，TSMC計劃在5nm節點(diǎn)上應用EUV工藝以提高密度、簡(jiǎn)化工藝并降低成本。 目前TSMC公司已經(jīng)在7nm節點(diǎn)研發(fā)上使用了EUV工藝，實(shí)現了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。TSMC表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年Q1季度還會(huì )再購買(mǎi)2臺。 之前有報道稱(chēng)三星也購買(mǎi)了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機，目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn)。 EUV是新一代半導體工藝突破的關(guān)鍵，但進(jìn)展一直比較緩慢，至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱(chēng)在2016年的10nm節點(diǎn)就能用上EUV工藝，之后又說(shuō)7nm節點(diǎn)量產(chǎn)EUV工藝，但現實(shí)情況并沒(méi)有這么樂(lè )觀(guān)，現在他們的說(shuō)法也是2020年的5nm節點(diǎn)，跟Intel的預計差不多了。 5nm還很遙遠，10nm及7nm還比較現實(shí)，TSMC表示他們的10nm工藝已經(jīng)有三個(gè)客戶(hù)完成流片，雖然沒(méi)公布客戶(hù)名稱(chēng)，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋(píng)果A10、聯(lián)發(fā)科X30(被海思、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了)以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計就是這三家了。 TSMC表示今年底之前還會(huì )有更多客戶(hù)的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。 至于7nm，TSMC表示他們已經(jīng)提前256Mb SRAM芯片，進(jìn)展順利，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對手更出色，已經(jīng)有高性能客戶(hù)預計在2017年上半年流片，正式量產(chǎn)則是在2018年。 |
