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—用于車(chē)輛LED照明的DC/DC拓撲結構 作者：Andre Suhaus ，產(chǎn)品設計部高級經(jīng)理，elmos Semiconductor AG 摘要：汽車(chē)上的轉向燈不再是只能一閃一滅了�，F在的LED光帶中發(fā)光顆�？梢砸砸欢ù涡蛄翜�，光帶看上去像發(fā)光蟲(chóng)子朝著(zhù)汽車(chē)轉向或者變道的方向直直地游去：現在不僅僅轉向燈可以實(shí)現上述功能了，全車(chē)的照明都已經(jīng)發(fā)展成可以以上述方式開(kāi)啟和熄滅。隨著(zhù)LED燈具應用領(lǐng)域越來(lái)越廣泛，研究分析用于控制LED燈的轉換器拓撲結構也就越來(lái)越迫切了。 因為L(cháng)ED燈具有很高的應用靈活性，所以在進(jìn)行汽車(chē)設計時(shí)，設計人員可利用LED高可塑性將車(chē)輛的燈光作為該汽車(chē)品牌外觀(guān)亮點(diǎn)。而且LED燈發(fā)光效率高，使用壽命長(cháng)，這也從技術(shù)角度解釋了為什么這種光源越來(lái)越受到汽車(chē)廠(chǎng)家的青睞。汽車(chē)上都有很多種類(lèi)的燈由LED光源扛起了大梁，包括方向燈、尾燈、近光燈和剎車(chē)燈，這些LED燈擔任的角色不同，功能不同，對為其驅動(dòng)的電源也提出了不同的要求，并且驅動(dòng)電路的拓撲結構必須盡可能地完全滿(mǎn)足LED燈對驅動(dòng)電源的要求。此外，LED燈的性能也在不斷地發(fā)展。一方面，驅動(dòng)電流僅為10mA級LED燈產(chǎn)生的亮度能持續增強，另一方面，單個(gè)LED需要的電流已經(jīng)達到了數安培，這都給LED的控制提出了不同的要求�，F在沒(méi)有，也不可能存在一種通用的拓撲結構能滿(mǎn)足所有LED光源的要求，而且可以兼顧低成本和高效率。這就不難理解，IC設計人員在選擇和協(xié)調驅動(dòng)方案時(shí)，涉及的可能使用的驅動(dòng)方案越多，他們就越要關(guān)注各個(gè)方案的特點(diǎn)與應用要求的匹配情況。 基礎數據 從技術(shù)上說(shuō)，設計用于控制車(chē)輛照明LED的控制電路考慮到很多方面。這種電路的設計從幾個(gè)不同的方向都取得了進(jìn)展：一方面，驅動(dòng)電流在50毫安以下的LED燈的亮度能在不斷增強，另一方面，驅動(dòng)電流達到數安培的單個(gè)LED獲得了長(cháng)足的發(fā)展。在本文中，我們將比較七個(gè)可能用于控制車(chē)輛照明LED的拓撲結構，并解釋它們的性能和各自應用領(lǐng)域。IC設計人員可以在對各種拓撲結構介紹的基礎上，根據應用要求的特點(diǎn)，在多種拓撲結構中選擇成本與工藝要求相匹配的那一種。但是，這些拓撲結構中并不存在一種低成本同時(shí)又高效率的，適用于所有應用領(lǐng)域的通用拓撲結構。 只有在得到良好的散熱，并且驅動(dòng)電流穩定的前提條件下，LED燈才能正常運行并達到它的最大使用壽命。在近幾年來(lái)，隨著(zhù)OLED（有機發(fā)光二極管）技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入到這個(gè)領(lǐng)域，LED燈對上述基本使用條件的要求更為苛刻了，這是因為，相對于較早出現的，以L(fǎng)ED技術(shù)制造的LED燈，以OLED技術(shù)制造的LED燈對高電流密度更為敏感。此外， OLED驅動(dòng)方式中所采用的亮度調節方式為模擬驅動(dòng)方法，即，通過(guò)模擬控制電路，而不是通過(guò)數字脈沖寬度調制技術(shù)（PWM）改變燈的發(fā)光強度。 如遠光燈和近光燈，這種發(fā)光時(shí)功率較高的LED燈需要幾乎強制性的時(shí)鐘控制功率系統。以電子方式控制的，高效的開(kāi)關(guān)轉換器可以減少LED燈工作過(guò)程中出現的功率損耗。相對于傳統的白熾燈，LED燈和電子器件對高溫工作環(huán)境更為敏感，所以，在設計轉換器工作環(huán)境時(shí)，為確保轉換器高效運行，需要將轉換器安裝在足夠大的空間內，也就是說(shuō)，從冷卻技術(shù)方面考慮，足夠大的安裝空間確保轉換器能夠穩定工作。 限制和要求 在設計車(chē)輛照明電路過(guò)程中，設計人員遇到的最典型的挑戰是，要為不同種類(lèi)的LED燈提供相當寬的驅動(dòng)電壓范圍，并且不同LED燈要求的輸入電壓和輸入電流之組合各不相同。通常情況下，向LED模塊驅動(dòng)的電壓下限在4V左右，而向LED模塊驅動(dòng)的電壓的范圍會(huì )受到汽車(chē)啟停系統（Start-Stop-System）的影響；位于極性保護電路后的電子器件的驅動(dòng)電壓下限往往只有3V。因為L(cháng)ED燈輸出功率被設置為恒定，這就導致當其驅動(dòng)電壓較低時(shí)，輸入電流持續升高。 
前燈典型應用 elmos Semiconductor公司推出的 E522.xx系列控制器可滿(mǎn)足針對車(chē)輛前部照明所需的各種LED燈，并符合解決方案設定的限定條件和要求。 為了抵消這種電流升高的效應，在LED燈控制電路的設計任務(wù)書(shū)中往往要求設計出一種合適的降低輸入電流額定值的電路裝置（例如，一種可以設在燈具中，在燈的驅動(dòng)電壓較低時(shí)，能夠實(shí)現線(xiàn)性降低燈輸入電流額定值的電路裝置）。模擬連續驅動(dòng)電路裝置可以實(shí)現連續向LED供電，避免出現照明中斷的情況。上述措施不僅僅在技術(shù)上解決了問(wèn)題，而且在設計極性保護電路的最大電流時(shí)以及EMC（電磁兼容性）濾波元件的最大電流時(shí)，使用上述措施也有利于降低解決方案的成本。 一般來(lái)說(shuō)，如果串聯(lián)連接的LED工作電壓大于等于2V，乃至所需的電壓達到55V以上時(shí)，以集成電路(IC)驅動(dòng)方案對其進(jìn)行驅動(dòng)是無(wú)法產(chǎn)生足夠的驅動(dòng)電流的。此外，對上述串聯(lián)LED進(jìn)行驅動(dòng)，電路中的電流可以被調整而實(shí)現的電流范圍應該滿(mǎn)足以下條件，即，經(jīng)模擬調整實(shí)現的最大電流與經(jīng)模擬調整實(shí)現的最小電流之間的比應大于10:1。一般情況下，經(jīng)調整后電流的極值為1.5A，在試驗研究中，模擬輸出的電流的極值已經(jīng)達到了大于3A小于6A的這個(gè)范圍內，此時(shí)，用于實(shí)現點(diǎn)光源的單個(gè)二極管的光通量大于1000流明。 現在的問(wèn)題是，哪種拓撲結構和哪種LED相匹配呢？下面的例子給出了一些用于特定應用領(lǐng)域，實(shí)現成本也合適的拓撲結構以及這些拓撲結構潛在的應用領(lǐng)域。選擇這些例子的出發(fā)點(diǎn)是體現應用程序開(kāi)發(fā)人員的愿望，也就是編制出一個(gè)拓撲結構為一個(gè)特定的組合，即，在照明設備上獲得的恒定電流和電壓的組合。如何設計這樣的拓撲結構，有很多種思路。 線(xiàn)性拓撲結構 電源集成電路轉換器適合于電流和功率比較小的LED燈，比如，轉向燈、尾燈、霧燈，還有低成本的日間行車(chē)燈。這些電源集成電路的總成本比較小，而且典型的電源集成應用起來(lái)非常簡(jiǎn)單。原則上，電源集成電路工作期間對外的輻射量很小，所以幾乎不需要為電源集成電路配EMC（電磁兼容性）濾波器。本文不討論用于交換解決方案所需的電感式存儲器的相關(guān)問(wèn)題。 在選擇對LED進(jìn)行驅動(dòng)的驅動(dòng)方案時(shí)，選擇哪種方案往往除了受到LED電路的限制之外，還要受到驅動(dòng)器內的電流大小的限制。在車(chē)輛中常用的線(xiàn)性驅動(dòng)器的電流極限值一般大于40mA小于70mA。電路設計人員必須針對此限制條件采取措施，以確保驅動(dòng)器模塊的溫度不至于升至保證電路安全運行的極限值以上。當今業(yè)內已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了相應的溫度管理方案，能夠確保在驅動(dòng)器內的電流極限值能夠大于150mA。elmos 半導體公司推出的E522.80/81/82/83LED控制器就是作為可行的溫度管理方案的一個(gè)很好的例子，該系列LED控制器中內置了三個(gè)獨立的電流源，在并聯(lián)輸出的情況下，向LED驅動(dòng)的總電流可達450mA。
E522.81線(xiàn)性橫流LED評估板 例如E522.80/81/82/83系列線(xiàn)性控制器可以作為電源集成電路型控制器控制如轉向燈，尾燈等工作電流和功率比較小的LED燈，即，工作電流大約在大于40mA且小于70mA這個(gè)范圍之內的LED燈。 此外，elmos Semiconductor公司還支持多顆芯片級聯(lián)使用，當任何一串燈出現故障的時(shí)候進(jìn)行故障診斷。在不同國家里針對處理單個(gè)LED故障設定了不同的處理目標和行業(yè)規則，這些目標和規則包括對故障公差的規定以及關(guān)于不完整的光源完全停止工作的規定和處理目標。如果設有一個(gè)本地的控制器，則PWM信號可以將可能存在的硬件缺陷精確地識別出來(lái)，并將識別得到的信息發(fā)回給控制器。 Boost-to-GND-拓撲結構 Boost-to-GND拓撲結構是一種典型的拓撲結構，它也被稱(chēng)作升壓電路或者Step-Up升壓轉換器。它是一種效率很高且一般情況下EMC（電磁兼容性）非常友好的拓撲結構。然而，只有在所有的工作狀態(tài)下，負載電壓都大于輸入電壓時(shí)，才可以使用這種拓撲結構。所以在車(chē)輛照明電路中幾乎不會(huì )使用這種拓撲結構。因為在這種拓撲結構中的驅動(dòng)處設置了電感存儲器，所在Boost升壓轉換器的輸入電流大致維持不變，因此，這種拓撲結構相對于其他拓撲結構更容易被過(guò)濾。當這種拓撲結構的負載處于其可以使用的負載范圍之內時(shí)，且考慮到Jumpstart的要求（在較長(cháng)的一段時(shí)間內驅動(dòng)電壓在不高于28V的水平），則電路的電壓在大于30V且小于60V的區間內。因為L(cháng)ED燈對溫度條件要求非常高，所以從技術(shù)角度考慮，在上述電壓區間內幾乎不能在LED燈的電路中使用Boost拓撲結構。 最后但同樣重要的一點(diǎn)是，如果輸出電壓超過(guò)了60V，則必須采取專(zhuān)門(mén)的措施，以確保人員在觸碰相關(guān)電子器件不會(huì )被電擊傷。當涉及帶有更大的正向電壓OLED stack時(shí)，Boost轉換器的作用再一次扮演了更為重要的角色。例如， elmosE522.31/32/33/34就是作為L(cháng)ED控制使用的Boost轉換器的解決方案。 Boost-to-Battery-拓撲結構 這種拓撲結構的基本原理和典型的Booster拓撲結構的基本原理類(lèi)似，在這種拓撲結構中，LED負載的基點(diǎn)不是接地，而是驅動(dòng)電壓。Boost-to-Battery拓撲結構也可以被簡(jiǎn)稱(chēng)為Boost-to-Bat-拓撲結構，任意規格的輸入電壓在經(jīng)過(guò)這種拓撲結構之后可以輸出任意規格的輸出電壓。因此，從技術(shù)的角度上分析，它是一個(gè)Buck-Boost拓撲結構。
Boost-to-Battery拓撲結構也可以被簡(jiǎn)稱(chēng)為Boost-to-Bat-拓撲結構，任意規格的輸入電壓在經(jīng)過(guò)這種拓撲結構之后可以輸出任意規格的輸出電壓；然而，必須在這個(gè)拓撲結構中配置一個(gè)差分式電流檢測放大器。 Lowside開(kāi)關(guān)將在第一相中的電流負載在電感器中，在第二相中（即Lowside已經(jīng)被斷開(kāi)的狀態(tài)），存儲在電路中的能量通過(guò)空轉二極管被傳回到輸出端。 使用這種拓撲結構必須滿(mǎn)足一個(gè)前提條件，即，在拓撲結構中設置一個(gè)差分式電流檢測放大器，上述差分式電流檢測放大器通過(guò)一個(gè)寬共模電壓范圍能實(shí)現精確的測量。Elmos出品的LED驅動(dòng)器E522.31/32/33/34中包括了一個(gè)特殊的放大器，可以在大于4V小于55V的范圍內進(jìn)行測量，其測量的失調電壓小于3mV，測量的溫度范圍為小于150 °C。此外，上述驅動(dòng)器還可以提供外部頻率同步，以及一個(gè)任意可用的內部擴頻調制( frequencyspread modulation)，如果對LED控制裝置提出了很高的EMC（電磁兼容性）要求，那么這種驅動(dòng)器可以幫助整個(gè)系統滿(mǎn)足《CISPR25》中針對汽車(chē)電子部件作出的規定。 在上述驅動(dòng)器電子器件的內部和外部電路中都設有不同的診斷功能，本驅動(dòng)器可以在電壓在60V以下時(shí)正常工作，而且通過(guò)本驅動(dòng)器可以實(shí)現數字和模擬的調光功能。汽車(chē)內部電壓穩壓器(LDOs)可以同時(shí)對控制器或者模擬輔助電路以3.3V和5V供電。 Buck-to-Ground 拓撲結構 第二個(gè)經(jīng)典的拓撲結構為Buck-to-Ground拓撲結構，簡(jiǎn)稱(chēng)為Buck-to-GND-拓撲結構，這種拓撲結構屬于降壓轉換器（Step-Down-Converter 或者 Buck-Converter）。該轉換器可以讓負載電壓小于輸入電壓，此性能對于解決電子控制問(wèn)題很有意義。一般來(lái)說(shuō)，此類(lèi)轉換器可以為一個(gè)到兩個(gè)LED燈提供大電流。與Boost拓撲結構相反，驅動(dòng)側的降壓轉換器可以調整電流，負載電流被設定了上限。因此，具有這種拓撲結構的轉換器不像具有Boost拓撲結構那樣，總是需要配置降低輸入電流額定值的電路裝置。 降壓轉換器可以配合日間行車(chē)燈(DRL)、霧燈、轉向燈、車(chē)燈以及倒車(chē)燈工作。市場(chǎng)上已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了很多照明產(chǎn)品，比如，針對電流小于2A的照明產(chǎn)品開(kāi)發(fā)出了基于降壓轉換器的elmos E522.10型控制器。對于電流較大，即，小于6A的LED，市場(chǎng)上開(kāi)發(fā)出了基于開(kāi)關(guān)穩壓器IC的解決方案。這種解決方案允許在外部激勵晶體管內靈活選擇導通電阻。這就意味著(zhù)，設計人員可以根據實(shí)際情況降低成本。在有的情況下可以使用Buck-to-Battery拓撲結構，例如帶有LED控制器的E522.31/32/33/34。 Buck-to-Battery-拓撲結構 還有一種使用了N型晶體管用在Lowside控制器里形成的拓撲結構，這種Buck-轉換器用于為L(cháng)ED燈驅動(dòng)（被稱(chēng)為Buck-to-Battery拓撲結構或者簡(jiǎn)稱(chēng)為Buck-to-Bat拓撲結構）。在這種控制器工作過(guò)程中，相對于電池，LED負載為負電荷，因此，LED的電勢永遠在電池驅動(dòng)電勢和大地電勢之間。在電感器通過(guò)一個(gè)Lowside開(kāi)關(guān)或者空轉二極管交替充電放電期間，來(lái)自電感器的，變化幅度小的電流向串聯(lián)的LED燈供電。 Buck-to-Battery拓撲結構可以通過(guò)電源開(kāi)關(guān)處較小電壓振幅幫助減少在側面內的開(kāi)關(guān)損失以及通過(guò)高交換層級減少向外的輻射量。 通過(guò)在電源開(kāi)關(guān)較小的電壓振幅，這種拓撲結構可以幫助減少邊緣的開(kāi)關(guān)損失，并通過(guò)高交換層級減少向外的輻射量。因為這種拓撲結構可以通過(guò)一個(gè)外部開(kāi)關(guān)總是能與一個(gè)給定的電流條件和電壓條件相匹配，所以這樣的解決方案是相當靈活的。在組件設計過(guò)程中拓撲結構設計開(kāi)發(fā)人員必須時(shí)時(shí)注意，轉換器所決定的最大占空比(Duty Cycle)。Elmos建議，采用經(jīng)典的Buck拓撲結構平衡這種Buck-to-Battery-拓撲結構。此時(shí)，大部分情況下轉換器都允許100 %的占空比(Duty Cycle)，采用經(jīng)典的Buck拓撲結構進(jìn)行平衡之后，Buck-to-Battery-拓撲結構可用的輸入電壓區間可以向下延伸。因為Buck-to-Battery-也需要差分放大器，elmos支持采取各種方式給開(kāi)發(fā)人員以支持，如 elmos提供已經(jīng)完成的、完整的演示電路。 在電容器中用于緩沖電源電壓的電路的有效值是一個(gè)常常被低估的要求。當涉及Buck-轉換器（和Buck-to-Battery）時(shí)，電流往往呈梯形或者矩形。在Buck-轉換器的占空比為50％的例子中，有效的RMS-電流為輸出側負載電流的一半。
在一些情況下，帶有兩個(gè)集成的控制電路的LED轉換器E522.32/34可以解決有效電流問(wèn)題；上述轉換器也可以用在多相系統中。即，通過(guò)將電源電路中的相位偏轉180°，并且對電流進(jìn)行分流，可以明顯降低不同部件中的功耗。 Sepic-拓撲結構 從原理上說(shuō)，Sepic拓撲結構需要lowside-開(kāi)關(guān)的轉換器，諸如LED控制器系列的E522.31/32/33/34就可以應用于Sepic拓撲結構。不僅僅從輸入電壓，而且也可以從輸出電壓導出應用于Sepic拓撲結構的中晶體管和二極管的電壓要求（一般來(lái)講，應用于Sepic拓撲結構的中晶體管和二極管的電壓要求與輸入電壓和輸出電壓的和有關(guān)）。因此，建議使用外部電源開(kāi)關(guān)。在市場(chǎng)上，可以買(mǎi)到高質(zhì)量的多種型號和外部電源開(kāi)關(guān)，在選擇時(shí)，可以靈活地選擇不同的耐電強度的外部電源開(kāi)關(guān)，也可以靈活選擇不同工作電流的外部電源開(kāi)關(guān)。高RMS電流要求對耦合電容器規格的選擇起著(zhù)很重要的作用，因此，通常采用陶瓷耦合電容器用作外部電源開(kāi)關(guān)中的耦合電容器。 在進(jìn)行涉及Sepic-拓撲結構的設計工作時(shí)，經(jīng)常遇到的一個(gè)問(wèn)題是，是否需要一個(gè)由兩個(gè)線(xiàn)圈構成的耦合。如果從工作原理出發(fā)考慮這個(gè)問(wèn)題，得到的回答是不需要，但是：如果核心上設置一個(gè)由兩個(gè)線(xiàn)圈構成的耦合，則可以說(shuō)，耦合會(huì )限制在兩個(gè)線(xiàn)圈的中電流上升。綜上所述可以得出，一個(gè)互相耦合的線(xiàn)圈電感值僅僅是兩個(gè)分離的電感線(xiàn)圈的一半即可。通常情況下，綜上所述，無(wú)論從器件的結構緊湊性還是成本來(lái)說(shuō)，設一個(gè)耦合的線(xiàn)圈都是一種合理的選項。從控制技術(shù)角度上說(shuō)，耦合也有它的優(yōu)點(diǎn)，因為耦合減少了相關(guān)磁極的復雜性。 Zeta，尚未被人了解的轉換器 從原理上說(shuō)，Zeta轉換器就是一種頭部被旋轉了的Sepic轉換器。和Sepic轉換器相反，Zeta轉換器作為Highside開(kāi)關(guān)使用。一種可以與Sepic拓撲結構相類(lèi)比的網(wǎng)絡(luò )將能量傳輸到輸出端。這種拓撲結構的優(yōu)點(diǎn)是具有較低的耐電強度，這一特性對于線(xiàn)圈之間的耦合電容的正常工作是必要的條件。此外，還有其他一些與Sepic拓撲結構相類(lèi)似的原則，以及對于兩個(gè)電感存儲器之間的耦合也適用于Zeta轉換器。 一般來(lái)說(shuō)，Buck轉換器集成電路適合于在Zeta拓撲結構中被操作。電源開(kāi)關(guān)必須能夠承受相對于轉換器接地電位電壓為輸出電壓的負漏電壓。出于上述原因，在這種拓撲結構中不宜使用異步激勵級；實(shí)際上，必須使用帶有外部P-FET的驅動(dòng)器或者帶有自由連接的漏機端子內部集成晶體管。此處，可以使用elmos推出的控制器E522.01-09和E522.10。 Zeta拓撲結構在EMC（電磁兼容性）方面的表現和Buck轉換器類(lèi)似。會(huì )出現不連續的輸入電流和連續的輸出電流的情況。如果作為需要向小負荷且冷啟動(dòng)(Cold-Cranking)的用電器進(jìn)行驅動(dòng)的電源，Zeta拓撲結構會(huì )是一種很有意思的選項。在轉換器E522.10的基礎上進(jìn)行設計開(kāi)發(fā)或者在控制器系列E522.01-09的基礎上進(jìn)行開(kāi)發(fā)，可以達到上述應用要求。這種帶有內置驅動(dòng)器，漏電電壓耐受力小于-10V的Buck轉換器也特別適合于Zeta拓撲結構。 |
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