|
獎項認可器件為大功率開(kāi)關(guān)系統在電源能效設立新的基準 2016 年 9 月8日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，今日宣布公司新的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG獲2016年度“Top 10電源產(chǎn)品獎”，這是由《今日電子》與21IC中國電子網(wǎng)聯(lián)合舉辦，于電子業(yè)備受認同的確定高品質(zhì)產(chǎn)品的一個(gè)基準。 這些1200伏特(V) IGBT利用安森美半導體專(zhuān)有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)并符合現代開(kāi)關(guān)應用的嚴格要求，如不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器和焊接。它們能實(shí)現領(lǐng)先行業(yè)的總開(kāi)關(guān)損耗(Ets)特點(diǎn)，顯著(zhù)提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場(chǎng)截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。 安森美半導體功率分立器件分部副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“我們很高興公司新的超場(chǎng)截止1200 V IGBT獲得Top 10電源產(chǎn)品獎，認可了我們?yōu)榇蠊β书_(kāi)關(guān)系統在電源能效設立的新基準。安森美半導體已投入可觀(guān)資金，利用我們專(zhuān)有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)設計IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低開(kāi)關(guān)損耗，增強電源能效，提供強固工作和高性?xún)r(jià)比�！� 每年的Top 10電源產(chǎn)品獎項需通過(guò)專(zhuān)家評委會(huì )嚴格的評估和推薦程序鑒別一系列電源產(chǎn)品。評審提名產(chǎn)品的3個(gè)主要標準為：創(chuàng )新設計、性?xún)r(jià)比及技術(shù)突破。 |
