|
180nm CMOS專(zhuān)業(yè)制程技術(shù)和HV-CMOS MPW在艾邁斯半導體位于奧地利的200mm晶圓制造工廠(chǎng)運行 艾邁斯半導體今日公布其快速、低成本的集成電路原型設計服務(wù)——多項目晶圓（MPW）或往復運行（shuttle run）2017年度服務(wù)計劃表。該服務(wù)將不同客戶(hù)的多種IC原型設計需求融入單片晶圓設計中，由于晶圓和掩膜的成本由多個(gè)客戶(hù)均攤，因此該項服務(wù)將有效降低每個(gè)客戶(hù)的成本。 
艾邁斯半導體世界領(lǐng)先的MPW服務(wù)提供180nm和0.35µm兩個(gè)工藝節點(diǎn)的制程，包括最近推出的180nm的CMOS （“aC18”）工藝MPW服務(wù)。aC18專(zhuān)業(yè)制程技術(shù)支持大量的1.8V 和5.0V NMOS和PMOS器件（包括基于襯底、浮動(dòng)、低漏和高閾值電壓多種選擇）以及經(jīng)過(guò)完整驗證的被動(dòng)器件如多種電容器。同時(shí)包括占位面積經(jīng)優(yōu)化且密度高達152kGates/mm²的高密度及低功耗數字庫、更新的最多可達6個(gè)金屬層的數字及模擬輸入輸出庫，以及高達8kV HBM ESD保護單元。艾邁斯半導體的aC18制程適用于各種應用的傳感器及傳感器接口。所有運用aC18專(zhuān)業(yè)制程技術(shù)的2017年度MPW都會(huì )在艾邁斯半導體位于奧地利的領(lǐng)先200mm晶圓制造工廠(chǎng)進(jìn)行生產(chǎn)，以確保缺陷密度最低化和高產(chǎn)量。 除了四批次的aC18多項目晶圓的運行，艾邁斯半導體同時(shí)提供四批次領(lǐng)先的180nm高壓CMOS（aH18）工藝MPW服務(wù)，180nm高壓COMS工藝支持1.8V、5V、20V及50V電壓的器件。艾邁斯半導體預計將于2017年提供14批次與0.35μm高壓CMOS生產(chǎn)工藝兼容的MPW服務(wù)，充分利用其在汽車(chē)和工業(yè)應用中的高壓設計，支持20V、50V以及120V的器件以及真正電壓可拓展的晶體管。先進(jìn)的可嵌入EEPROM的高壓CMOS工藝和0.35µm SiGe-BiCMOS工藝技術(shù)S35能夠與CMOS基礎工藝有效兼容，共同構成艾邁斯半導體的MPW服務(wù)。 總體而言， 艾邁斯半導體將在2017年通過(guò)與CMP, Europractice, Fraunhofer IIS 及 Mosis世界各地的合作企業(yè)進(jìn)行合作，提供近150個(gè)MPW服務(wù)。 亞太地區客戶(hù)也可以通過(guò)艾邁斯半導體在當地的MPW合作伙伴——Toppan Technical Design Center Co., Ltd (TDC) 和 MEDs Technologies公司參與該項目。 2017年的完整MPW計劃表已經(jīng)發(fā)布，欲了解各工藝的具體啟動(dòng)時(shí)間，請訪(fǎng)問(wèn)：www.ams.com/MPW 為了更好地利用MPW服務(wù)，艾邁斯半導體公司的晶圓代工客戶(hù)可在指定日期前將完整的GDSII數據發(fā)送至艾邁斯半導體公司。采用普通CMOS工藝并未經(jīng)測試的封裝樣品或裸片通常將在8周左右送至客戶(hù)；采用高電壓CMOS、SiGe-BiCMOS以及嵌入式閃存工藝生產(chǎn)的樣片將于12周左右遞送至客戶(hù)手中。 所有工藝技術(shù)均得到了艾邁斯半導體知名的hitkit設計套件支持，該套件基于Cadence、Mentor Graphics或Keysight ADS設計環(huán)境而開(kāi)發(fā)。它包含全面的硅認證標準單元、外圍電路單元庫、通用模擬元件，如比較器、運算放大器、低功耗模數和數模轉換器。定制的模擬和射頻器件、Assura和Calibre物理驗證規則以及具有精確特性的電路仿真模型，均有助于復雜的高性能混合信號集成電路設計的快速啟動(dòng)。除了標準原型服務(wù)之外，艾邁斯半導體還提供先進(jìn)的模擬IP模塊、存儲器（RAM/ROM）生成服務(wù)和陶瓷或塑料封裝服務(wù)。 了解更多關(guān)于艾邁斯半導體晶圓代工事業(yè)部的全面服務(wù)和技術(shù)組合信息，請訪(fǎng)問(wèn)：www.ams.com/foundry |
