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Ramtron推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫(xiě)速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標準28腳SOIC封裝，具有快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲寫(xiě)入、無(wú)乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、儀表、醫療、汽車(chē)電子、軍事、游戲和計算機及其它應用領(lǐng)域中，作為需電池供電的SRAM的兼容替代產(chǎn)品。 FM28V020是配置為32K x 8的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)，讀寫(xiě)操作與標準SRAM相似，能夠在斷電后保存數據，提供超過(guò)10年的數據保存能力，可消除需電池供電的SRAM (BBSRAM) 帶來(lái)的諸如可靠性、功能缺陷和系統設計復雜性等問(wèn)題。去除了系統中的電池可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)過(guò)程，減少系統維護，并且顯得更加環(huán)保。F-RAM具有的寫(xiě)入速度快，幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數等特點(diǎn) (寫(xiě)入次數大約為1014次)，使其優(yōu)于其它類(lèi)型的存儲器。 FM28V020在系統內的工作方式與其它RAM器件類(lèi)似，可以用作標準SRAM的兼容替代器件。只需開(kāi)啟芯片的使能引腳或改變地址，就可觸發(fā)讀寫(xiě)操作。由于F-RAM存儲器采用獨特的鐵電存儲器工藝，具有非易失性的特點(diǎn)，所以極度適用于需要頻繁或快速寫(xiě)入數據的非易失性存儲應用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍內工作。 |
