采用130nm制程的創(chuàng )新平臺將拓寬STM8S和STMffice:smarttags" />
意法半導體發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺的細節。新的技術(shù)平臺將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗,滿(mǎn)足不斷升級的能效標準的要求,延長(cháng)電池驅動(dòng)設備的工作時(shí)間。滿(mǎn)足這些日益提高的標準需要全方位考慮微控制器的設計和制程技術(shù),進(jìn)行全面的最大限度的改進(jìn)。 新平臺采用130nm制程,意法半導體對這個(gè)平臺進(jìn)行了深度優(yōu)化,邏輯功能采用超低漏電流晶體管,模擬功能采用低壓晶體管,同時(shí)選用創(chuàng )新的低功耗嵌入式存儲器、新的低壓低功耗標準外設和創(chuàng )新的電源管理架構。這些改進(jìn)技術(shù)合在一起可大幅降低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗,讓未來(lái)的微控制器比目前市場(chǎng)上低功耗產(chǎn)品的性能功率比更大幅進(jìn)步。 意法半導體將在2009年推出首批基于這個(gè)超低功耗平臺的全新微控制器系列STM 在這個(gè)新的技術(shù)平臺內,優(yōu)化的130nm數字晶體管的漏電流很小,可降低微控制器在正常工作模式以及節能模式下的電流消耗。此外,創(chuàng )新的低功耗嵌入式非易失性存儲器可降低應用數據處理所需的功耗。改進(jìn)的模擬晶體管的工作電壓降至1.65V,使片上模擬電路能夠在低壓電源下工作。通過(guò)采用低工作電壓內核和4µs超高速低功耗狀態(tài)喚醒等方法,電源管理架構可在全部模式下節省電能。最后,專(zhuān)用數字庫和低功耗系統芯片(SoC)的新設計流程將有助于意法半導體擴大超低功耗微控制器的產(chǎn)品范圍,為市場(chǎng)快速推出新器件。 “基于這個(gè)平臺的全新微控制器STM 其它更多的產(chǎn)品也將受益于新的8位和32位微控制器,包括報警系統、無(wú)線(xiàn)傳感器、觸感模塊和便攜設備,如個(gè)人保健設備、手持游戲機、遙控器、GPS設備、個(gè)人運動(dòng)設備和手機配件。 STM8S和STM |