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全新系列的30V表面貼裝功率晶體管，導通電阻僅為2毫歐（最大值），新產(chǎn)品可提高計算機、電信設備和網(wǎng)絡(luò )設備的能效。 采用意法半導體最新的 STripFET VI DeepGATE制造工藝，單元密度提高，以有效芯片尺寸對比，新產(chǎn)品實(shí)現業(yè)內最佳的導通電阻RDS(ON)，比上一代產(chǎn)品改進(jìn)大約20個(gè)百分點(diǎn)，開(kāi)關(guān)穩壓器和直流--直流轉換器內因此可以使用小尺寸的貼裝功率封裝。這項技術(shù)還得益于本身既有的低柵電荷量特性，這項優(yōu)點(diǎn)讓設計人員可以使用高開(kāi)關(guān)頻率，在產(chǎn)品設計中選用尺寸更小的無(wú)源器件，如電感和電容。 意法半導體新30V表面貼裝功率晶體管產(chǎn)品提供各種工業(yè)標準封裝，包括 SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAK和SOT23-6L，兼容現有的焊盤(pán)/引腳布局，同時(shí)還能提高能效和功率密度。這一特性使意法半導體的STripFET VI DeepGATE產(chǎn)品系列可以創(chuàng )造出最大的市場(chǎng)機遇。 首批采用新工藝的產(chǎn)品包括 STL150N3LLH6和STD150N3LLH6兩款產(chǎn)品。STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封裝，單位面積導通電阻 RDS(ON) 達到市場(chǎng)最低水平；STD150N3LLH6采用DPAK封裝，導通電阻 RDS(ON)為2.4毫歐。 兩款產(chǎn)品的樣片都已上市，計劃2009年6月開(kāi)始量產(chǎn)。 |
