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SD4851是內置700伏高壓MOSFET的原邊控制、帶線(xiàn)損補償和峰值電流補償功能的高端無(wú)光耦開(kāi)關(guān)電源控制器。它采用PFM調制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩定性和平均效率，廣泛適用于手機充電器、小功率適配器、待機電源、MP3及其他便攜式設備。 SD4851 采用了原邊調整（PSR）技術(shù)，通過(guò)檢測變壓器初級線(xiàn)圈的電流和輔助線(xiàn)圈的電壓，間接控制系統的輸出電壓/電流，從而達到輸出恒壓或者恒流的目的。該電路采用了士蘭微電子自主知識產(chǎn)權的線(xiàn)損補償專(zhuān)利技術(shù)，可以根據電纜的電阻大小調整補償電阻，在不同負載電流的條件下，自動(dòng)調節補償電壓，以保證不同負載電流的條件下的輸出端電壓相同；峰值電流補償功能用來(lái)保證在不同的交流電壓輸入條件下，輸出恒流值相同。 目前的SD4851電路可提供3.5W輸出功率（5V /700mA），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28線(xiàn)纜），待機功耗小于100mW，輸出電壓的負載調整率優(yōu)于±4.0%，輸出電壓的輸入線(xiàn)電壓調整率優(yōu)于±0.6%，整機對空氣的ESD能力大于±15KeV。通過(guò)調整限流電阻，SD4851可以提供5W左右的輸出功率。在選擇更低導通電阻的高壓MOSFET條件下，電路的輸出功率范圍可達到6W~10W。 SD4851基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造，采用了內置高壓MOSFET的DIP-8A封裝形式，具有集成度高、占板面積小、便于整機調試等突出的特點(diǎn)。 此外，采用SD4851設計整機系統，可以省去光耦、次級反饋控制、環(huán)路補償，僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源系統，大幅節省了系統耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶(hù)精簡(jiǎn)設計布局，降低開(kāi)發(fā)和制造成本。 小型充電設備今后的發(fā)展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率，士蘭微電子將持續在該領(lǐng)域投入研發(fā)力量，推出新品。預計2009年下半年將推出內置高壓?jiǎn)?dòng)模塊、滿(mǎn)足能源之星2.0版本、LEVEL 5規格的電路，待機功耗小于30mW，平均效率達到70%。 |
