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TO-247-4封裝的SiC MOSFET因其高速開(kāi)關(guān)性能、降低的開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢而受到市場(chǎng)的廣泛歡迎，這種封裝通過(guò)Kelvin連接減少了電源線(xiàn)電感對柵極驅動(dòng)信號的影響，提供了設計靈活性并改善了熱性能，適用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變器、UPS電源、電機驅動(dòng)、儲能和充電樁等多種應用領(lǐng)域，滿(mǎn)足了市場(chǎng)對高效率和高功率密度解決方案的需求。目前愛(ài)仕特已量產(chǎn)21款TO-247-4封裝的SiC MOSFET，電壓覆蓋650V—3300V。 愛(ài)仕特始終秉承創(chuàng )新理念，近期推出了1200V和1700V兩款內絕緣型TO-247-4封裝的SiC MOSFET。這些創(chuàng )新產(chǎn)品在保持標準封裝尺寸，通過(guò)內置陶瓷片優(yōu)化了絕緣和導熱性能，背面散熱器做了懸浮電位設計，減少了外部絕緣材料依賴(lài)，降低了材料老化導致的長(cháng)期運行故障風(fēng)險，增強了產(chǎn)品可靠性和耐用性。 
SiC MOSFET的性能特點(diǎn)：該產(chǎn)品搭載了愛(ài)仕特自研第三代SiC 芯片，具有開(kāi)關(guān)速度快、抗干擾能力強和高可靠性等特點(diǎn)。該產(chǎn)品尺寸為40*15.9*5mm，與常規TO-247-4封裝尺寸一致，可實(shí)現快速替換。 高開(kāi)關(guān)速度 SiC 材料的高電子遷移率，提升系統響應速度和動(dòng)態(tài)性能 高功率密度 搭載第三代自研SiC 芯片，實(shí)現小尺寸下的大電流承受能力 低寄生電感設計 緊湊內部布局，降低功率回路中的寄生電感高抗干擾能力具有開(kāi)爾文源極引腳，能夠進(jìn)一步降低器件的開(kāi)關(guān)損耗，提高模塊的抗干擾能力高溫穩定性寬溫度范圍下（-55°C至175°C）的穩定運行，適應各種環(huán)境條件
安裝工藝不同：簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程 簡(jiǎn)化的內絕緣封裝設計不僅提高了生產(chǎn)效率，還降低了熱阻，為電力系統的高性能運行提供了新的選擇。 在應用中的對比優(yōu)勢 降低成本 無(wú)需增加MOSFET和散熱片之間的絕緣片及固定螺絲上的絕緣粒，節約了材料成本、物料管理成本和生產(chǎn)成本 簡(jiǎn)化生產(chǎn)裝配 省略器件與散熱器之間的絕緣墊片，簡(jiǎn)化生產(chǎn)流程 解決不同作用的MOSFET共用一個(gè)散熱片的絕緣問(wèn)題 提高可靠性 避免因絕緣材料高溫或破裂而產(chǎn)生的可靠性問(wèn)題 銅框架和SiC 芯片的熱膨脹系數差異較大，內置陶瓷絕緣片可以提高功率循環(huán)的可靠性 |
