|
電阻精度的問(wèn)題看起來(lái)比想象的要復雜些。電阻有三種基本類(lèi)型： Bulk Metal 箔、薄膜及厚膜，這三種電阻表面上看起來(lái)很相似，并且可能具有類(lèi)似的采購規格。但實(shí)際上，這三種電阻的制造方式均不同。本身固有的設計與處理將極大影響電氣性能，因此在安裝后，這三種電阻的行為均不相同。當外部及內部溫度改變時(shí)，這些差異會(huì )變得非常明顯且至關(guān)重要。此外，長(cháng)期穩定性、濕度及其它環(huán)境條件的影響會(huì )隨時(shí)間推移而產(chǎn)生額外影響。這一點(diǎn)應加以考慮，當電路要求對信噪比 (SNR) 及脈沖響應來(lái)說(shuō)更加苛刻時(shí)更應如此。因此，一些所謂的高精度電阻在用于電路后結果卻達不到人們可能期望的精度。要生產(chǎn)具有高精度及高穩定性的電阻，重要的是能夠控制溫度及環(huán)境條件對電阻器件的影響。 在具有低 TCR 值的高精度電阻中，自加熱（焦耳效應）會(huì )使電阻無(wú)法嚴格符合它們的 TCR 規范。這種不準確性會(huì )使電阻值在施加的功率下產(chǎn)生錯誤。選擇相應的高精度電阻前，應仔細了解這三種不同的高精度電阻是如何制造的，并對它們進(jìn)行測試，以了解它們在使用中的運行方式。 電阻功率系數 測試示例： 在該測試中，我們使用了大小相同 (1206) 且電阻值相同 (1 K) 的三種表面貼裝片式電阻。我們對下列每個(gè)電阻的 TCR 值進(jìn)行了測試（MIL 范圍：-55℃ " +125℃，+25℃參考）：箔片式電阻、薄膜片式電阻及厚膜片式電阻。 我們有意選擇薄膜及厚膜電阻來(lái)獲得超低 TCR 值。 在 PCR 測試過(guò)程中，我們對這些電阻施加了 100 mW～500 mW 的功率，并測試了電阻值在整個(gè)測試過(guò)程中的變化。 我們使用了基本的惠斯登電橋電路。選擇該電橋臂的電阻值對測試電阻 (Rx) 施加高功率，同時(shí)確保其余三個(gè)支腳保持超低功率。當功率增加時(shí)，Rx 中的任何變化均是由 Rx 的自加熱導致的。 公式： Rb×Rx = Rstd×Ra? ( 1 K×1 K = 10Ω×100 K )?? Ra：100 K， 額定功率：+125℃時(shí)為 0.3W，Rb = 1K，額定功率：+125℃時(shí)為 0.3W，Rstd：10Ω，額定功率：+125℃時(shí)為 0.3W? Rx = 1 K， 額定功率：+70℃時(shí)為 0.3W 結論: 在因以下兩種因素（環(huán)境溫度變化－TCR和負載變化焦耳效應引起的內部升溫 PCR）導致的電阻溫度變化過(guò)程中，高精度箔電阻實(shí)現了最可用的穩定性。 |
