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逆變器已廣泛用于交流電氣傳動(dòng)、UPS等許多技術(shù)領(lǐng)域中，其主電路開(kāi)關(guān)器件常采用IGBT或MOSF、ET等全控型器件，該類(lèi)器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作需要靠獨立的驅動(dòng)電路來(lái)實(shí)現，并要求驅動(dòng)電路的供電電源彼此隔離(如單相橋式逆變主電路需3組獨立電源，三相橋式逆變主電路需4組獨立電源)，這無(wú)疑增加輔助電源的設計困難和成本，同時(shí)也使驅動(dòng)電路變得復雜，降低了逆變器的可靠性。采用如EXB840等專(zhuān)用厚膜集成驅動(dòng)電路芯片雖然可以簡(jiǎn)化驅動(dòng)電路的設計，但每個(gè)驅動(dòng)芯片仍需要一個(gè)隔離的供電電源，且每個(gè)芯片僅可驅動(dòng)一個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件，應用仍有不便。而美國國際整流器公司生產(chǎn)的專(zhuān)用驅動(dòng)芯片IR2132只需1個(gè)供電電源即可驅動(dòng)三相橋式逆變電路的6個(gè)功率開(kāi)關(guān)器件，可以使整個(gè)驅動(dòng)電路變得簡(jiǎn)單可靠。 1 IR2132驅動(dòng)芯片的特點(diǎn) IR2132可以用來(lái)驅動(dòng)工作在母線(xiàn)電壓不高于600 V的電路中的功率MOS門(mén)器件，其可輸出的最大正向峰值驅動(dòng)電流為250 mA，而反向峰值驅動(dòng)電流為500 mA。它內部設計有過(guò)流、過(guò)壓及欠壓保護、封鎖和指示網(wǎng)絡(luò )，使用戶(hù)可方便地用來(lái)保護被驅動(dòng)的MOS門(mén)功率管，加之內部自舉技術(shù)的巧妙運用使其可以用于高壓系統，它還可以對同一橋臂上下兩個(gè)功率器件的門(mén)極驅動(dòng)信號產(chǎn)生O．8μs互鎖延時(shí)時(shí)間。它自身工作和電源電壓的范圍較寬(3～20 V)，在它的內部還設計有與被驅動(dòng)的功率器件所通過(guò)的電流成線(xiàn)性關(guān)系的電流放大器，電路設計還保證了內部的3個(gè)通道的高壓側驅動(dòng)器和低壓側驅動(dòng)器可單獨使用，亦可只用其內部的3個(gè)低壓側驅動(dòng)器，并且輸入信號與TTL及CMOS電平兼容。IR2132管腳如圖1所示。VBl～VB3是懸浮電源接地端，通過(guò)自舉電容為3個(gè)上橋臂功率管的驅動(dòng)器提供內部懸浮電源，VSl～VS3是其對應的懸浮電源地端。 HINl～HIN3，LINl～LIN3是逆變器上橋臂和下橋臂的驅動(dòng)信號輸入端，低電平有效。 ITRIP是過(guò)流信號檢測輸入端，可通過(guò)輸入電流信號來(lái)完成過(guò)流或直通保護。 CA一，CA0，VSO是內部放大器的反相端、輸出端和同相端，可用來(lái)完成電流信號檢測。 H01～H03，L01～L03是逆變器上下橋臂功率開(kāi)關(guān)器件驅動(dòng)信號輸出端。 FAULT是過(guò)流、直通短路、過(guò)壓、欠壓保護輸出端，該端提供一個(gè)故障保護的指示信號。它在芯片內部是漏極開(kāi)路輸出端，低電平有效。 VCC，VSS是芯片供電電源連接端，VCC接正電源，而VSS接電源地。 2 IR2132內部結構及其工作原理 IR2132的內部結構如圖2所示，它的內部集成有1個(gè)電流比較器(Current Comparator)、1個(gè)電流放大器(Current Amp)、1個(gè)自身工作電源欠電壓檢測器(Under Voltage Detector)、1個(gè)故障處理單元(Fault Logic)及1個(gè)清除封鎖邏輯單元(Clear Logic)。除上述外，它內部還集成有3個(gè)輸入信號處理器(Input Signal Generator)、2個(gè)脈沖處理和電平移位器(Pulse Generator Level Shifter)、3個(gè)上橋臂側功率管驅動(dòng)信號鎖存器(Latch)、3個(gè)上橋臂側功率管驅動(dòng)信號與欠壓檢測器(Under Voltage Detector)及6個(gè)低輸出阻抗MOS功率管驅動(dòng)器(Driver)和1個(gè)或門(mén)電路。 正常工作時(shí)，輸入的6路驅動(dòng)信號經(jīng)輸入信號處理器處理后變?yōu)?路輸出脈沖，驅動(dòng)下橋臂功率管的信號L1～L3經(jīng)輸出驅動(dòng)器功放后，直接送往被驅動(dòng)功率器件。而驅動(dòng)上橋臂功率管的信號H1～H3先經(jīng)集成于IR2132內部的3個(gè)脈沖處理器和電平移位器中的自舉電路進(jìn)行電位變換，變?yōu)?路電位懸浮的驅動(dòng)脈沖，再經(jīng)對應的3路輸出鎖存器鎖存并經(jīng)嚴格的驅動(dòng)脈沖與否檢驗之后，送到輸出驅動(dòng)器進(jìn)行功放后才加到被驅動(dòng)的功率管。一旦外電流發(fā)生過(guò)流或直通，即電流檢測單元送來(lái)的信號高于0．5 V時(shí)，則IR2132內部的電流比較器迅速翻轉，促使故障邏輯單元輸出低電平，一則封鎖3路輸入脈沖信號處理器的輸出，使IR2132的輸出全為低電平，保護功率管；同時(shí)IR2132的FAULT腳給出故障指示。同樣，若發(fā)生IR2132的工作電源欠壓，則欠壓檢測器迅速翻轉，也會(huì )進(jìn)行類(lèi)似動(dòng)作。發(fā)生故障后，IR2132內的故障邏輯單元的輸出將保持故障閉鎖狀態(tài)。直到故障清除后，在信號輸入端LINl～LIN3同時(shí)被輸入高電平，才可以解除故障閉鎖狀態(tài)。 IR2132驅動(dòng)上橋臂功率管的自舉電源電壓不足時(shí)，則該電路的驅動(dòng)信號檢測器迅速動(dòng)作，封鎖該路輸出，避免功率器件因驅動(dòng)信號不足而損壞。當逆變器同一橋臂上2個(gè)功率器件的輸入信號同時(shí)為高電平，則IR2132輸出的2路門(mén)極驅動(dòng)信號全為低電平，從而可靠地避免橋臂直通現象發(fā)生。 3 采用IR2132的逆變器電路結構 3．1 控制電路 采用了一種新型的預制相位PWM波的數字控制方案，逆變器6個(gè)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)同某一調制比的SPWM脈沖相對應，其出發(fā)點(diǎn)是由一片EP-ROM來(lái)存儲這6個(gè)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，預置于EPROM內的由多種方式產(chǎn)生，常見(jiàn)的是先計算出來(lái)，對應于不同的基波頻率，按一定規律算出相對應的脈寬，再轉換成數值，存儲在EPROM內，EPROM的輸出與IR2132的HINl～HIN3，LINl～LIN3相連接。同一橋臂開(kāi)關(guān)管之間相位互差120°，同橋臂上下開(kāi)關(guān)互補導通且有死區。其SPWM波生成電路原理如圖3所示。 3．2 驅動(dòng)電路 采用IR2132芯片驅動(dòng)逆變器功率管時(shí)，其基本主電路不需改變，仍可用典型的三相電壓型逆變電路，為便于表示，圖4中畫(huà)出了IR2132驅動(dòng)中1個(gè)橋臂的電路示意圖。圖中C1是自舉電容，為上橋臂功率管驅動(dòng)的懸浮電源存儲能量，VD1的作用是防止上橋臂導通時(shí)的直流電壓母線(xiàn)電壓加到IR2132的電源上而使器件損壞，因此VD1應有足夠的反向耐壓，當然由于VD1與C1串聯(lián)，為了滿(mǎn)足主電路功率管開(kāi)關(guān)頻率的要求，VD1應選快速恢復二極管。R1和R2是IGBT的門(mén)極驅動(dòng)電阻，一般可采用10到幾十歐姆。R3和R4組成過(guò)流檢測電路，其中R3是過(guò)流取樣電阻，R4是作為分壓用的可調電阻。IR2132的HINl～HIN3，LINl～LIN3作為功率管的輸入驅動(dòng)信號與SPWM波生成電路的EPROM連接。其容量取決于被驅動(dòng)功率器件的開(kāi)關(guān)頻率、占空比以及充電回路電阻，必須保證電容充電到足夠的電壓，而放電時(shí)其兩端電壓不低于欠電壓保護動(dòng)作值，當被驅動(dòng)的開(kāi)關(guān)頻率大于5 kHz時(shí)，該電容值不小于0．1μF，且以瓷片電容為好。 4 結語(yǔ) 采用IR2132器件實(shí)現單芯片電源供電的三相逆變器的驅動(dòng)，只要合理地選擇浮充電容，驅動(dòng)電路工作十分可靠，它不僅使電路結構簡(jiǎn)單、可靠性提高，而且可以可靠地實(shí)現短路、過(guò)流、欠壓和過(guò)壓等故障保護。 |
