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與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接，以構成CR的連接方式。此時(shí)，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓。 與晶體管放大電路的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式。 最一般的源極接地電路和自偏置電路 n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。 
與晶體管的電流反饋偏置電路一樣構成的FET“自偏置電路”，由于其穩定程度良好，在實(shí)際電路中得到了普遍應用。 自偏置電路源極電阻對電路的穩定作用
此時(shí)，如果我們把VGS的絕對值變得很小，漏極電流ID就會(huì )增大。這樣一來(lái)，源極電壓VS(V)就會(huì )升高，從而使得VCS的絕對值增大，同時(shí)ID也會(huì )減小，電路的狀態(tài)向穩定的方向變化。 源極接地電路要實(shí)現放大功能，需要給源極電阻并聯(lián)電容 實(shí)現交流信號放大時(shí)，需要忽略源極電阻RS的影響。與源極電阻RS并聯(lián)的電容CS(F)，使得交流信號變化對源極電壓VS沒(méi)有影響，源極電壓VS保持不變。對于交流信號來(lái)說(shuō)，源極是通過(guò)電容CS接地的，因此也稱(chēng)為源極接地電路。該電路對交流信號的電壓放大倍數A為 A=gm*RD 式中，RD(Ω)為漏極電阻。由于結型FET的gm很�。ㄔ�1~10mS之間），很難實(shí)現電壓放大倍數很大的單級放大電路。漏極接地電路的偏置電路和放大倍數
信號的放大倍數A為A≈1，實(shí)際的放大倍數要比1略小一些。 柵極接地電路的偏置電路和放大倍數
結型FET的柵極和源極間為反向偏置電壓，源極通過(guò)電阻RS接地，柵極直接與地電位相連。 柵極接地電路，輸入、輸出信號的極性相反。信號的電壓放大倍數A為 A=gm*RD 練習題 試計算右圖電路中的電壓放大倍數A。電容CIN、COUT、CS對于交流信號可視為直通（阻抗忽略不計，視為0），場(chǎng)效應晶體管的gm=3mS。
內容摘自本人微信號：機械工業(yè)出版社E視界 習題答案也在微信號中，見(jiàn)歷史消息中的同文標題！ |
