單片機與單總線(xiàn)A/D轉換器DS2450的接口設計

發(fā)布時(shí)間:2010-11-4 11:44    發(fā)布者:eetech
關(guān)鍵詞: DS2450 , 單片機 , 單總線(xiàn) , 接口 , 轉換器
DS2450是DALLAS公司生產(chǎn)的單總線(xiàn)四通道逐次逼近式A/D轉換器芯片,它的輸入電壓范圍、轉換精度位數和報警門(mén)限電壓均可編程;每個(gè)通道均可用各自的存儲器來(lái)存儲電壓范圍設置、轉換結果和門(mén)限電壓等參數。在普通方式下其串行通信速率為16.3kbps,而超速工作模式時(shí)的速率可達 142kbps,片內16位循環(huán)冗余校驗碼生成器可用于檢測通信的正確性。DS2450采用8腳SOIC小體積封裝。它既可用單5V電源供電,也可采用寄生電源方式供電,芯片正常工作時(shí)的功耗僅2.5mW,空閑時(shí)的功耗為25μW。多個(gè)DS2450或其它功能的具有MicroLAN接口的單總線(xiàn)芯片可以并聯(lián),CPU只需一根端口線(xiàn)就能與諸多單總線(xiàn)芯片通信,而且占用微處理器的端口較少,因此可節省大量的引出腳和邏輯電路。

1 DS2450的引腳排列和內部結構

1.1 引腳功能

DS2450采用8腳SOIC封裝,其管腳功能描述如下:
  • 1腳(VDD):工作電源接入端;
  • 2腳(N.C):懸空引腳;
  • 3腳(DATA):串行數據輸入/輸出端;
  • 4腳(GND):接地端;
    5腳(AIN-A):A路模擬電壓輸入端;
  • 6腳(AIN-B):B路模擬電壓輸入端;
  • 7腳(AIN-C):C路模擬電壓輸入端;
  • 8腳(AIN-D):D路模擬電壓輸入端。


1.2 內部結構

DS2450的內部結構如圖1所示。其中光刻ROM中的64位序列號是出廠(chǎng)前被光刻好的,它可以被看作是該DS2450的地址序列碼。64位光刻 ROM的排列是:開(kāi)始8位(20H)為產(chǎn)品類(lèi)型標號,接著(zhù)的48位是該DS2450自身的序列號,最后8位是前面56位的循環(huán)冗余校驗碼(CRC=X8+X5+X4+1);光刻ROM的作用是使每一個(gè)單總線(xiàn)器件的地址都各不相同,以便在一根總線(xiàn)上掛接多個(gè)單總線(xiàn)芯片。





對于一線(xiàn)端口,在ROM功能建立之前,其它功能是無(wú)法實(shí)現的?偩(xiàn)控制器必須首先通過(guò)DATA引腳為DS2450提供一個(gè)ROM功能控制命令(8位)。它的7個(gè)功能控制命令為:

(1)讀ROM,命令字[33H];

(2)匹配ROM[55H];

(3)搜索ROM[F0H];

(4)跳過(guò)ROM[CCH];

(5)條件搜索ROM[ECH];

(6)超速跳過(guò)ROM[3CH];

(7)超速匹配ROM[69H]。

其中超速跳過(guò)ROM或超速匹配ROM命令執行后可使串行通信速率高達142kbps。如果多個(gè)器件連接在一線(xiàn)上,這些命令可對每個(gè)器件的64位ROM 部分進(jìn)行操作,并挑選出一個(gè)特定的器件。然后對選中的DS2450執行下一步的A/D轉換控制命令以及讀寫(xiě)存儲器命令,所有命令或數據的讀/寫(xiě)均從最低位開(kāi)始。

1.3 存儲器

DS2450內部有24個(gè)地址相連的8位存儲器,可將其分成3頁(yè),每頁(yè)8字節。第0頁(yè)為A/D轉換結果存儲器,每個(gè)通道占2個(gè)字節共16位。當芯片上電復位時(shí),該頁(yè)清0;第1頁(yè)為A/D轉換控制與狀態(tài)存儲器;第2頁(yè)為各通道輸入高/低限報警值存儲器。

2 轉換與讀/寫(xiě)控制

2.1 轉換控制

DS2450的轉換控制首先通過(guò)其DATA端串行送出轉換命令字[3CH],然后送出通道選擇字和預置控制字,最后啟動(dòng)A/D轉換器進(jìn)行轉換。DS2450的通道選擇字和預置控制字的各位含義如表1所列。





在通道選擇字中,對應位為1表示該通道參與轉換。在同時(shí)選擇多個(gè)通道時(shí),其轉換順序為A→B→C→D,未選中的通道將被跳過(guò)。其A/D轉換的時(shí)間可近似為:

轉換時(shí)間=通道數×轉換精度位數×80μs+160μs。

當所有通道轉換完畢后,系統將發(fā)出讀存儲器命令以獲得轉換結果和對應的狀態(tài)。

預置控制字可用于對相應通道的轉換結果存儲器進(jìn)行預置。當SET、CLR=00時(shí),為不預置,即保持上次轉換值;當SET、CLR=01時(shí),轉換前預置為全0;當SET、CLR=10時(shí),預置為全1;而SET、CLR=11為無(wú)效組合。

2.2 存儲器讀/寫(xiě)控制

讀存儲器命令可用于讀取轉換結果、工作狀態(tài)和門(mén)限設定值等?偩(xiàn)管理器首先送出讀存儲器命令字[AAH],然后送出兩字節的16位“起始數據”存儲器地址,并在總線(xiàn)上讀取一個(gè)字節的數據后,地址自動(dòng)加1,緊接著(zhù)讀取下一個(gè)數據;當一頁(yè)讀完后,隨后讀取的兩個(gè)字節為內部自動(dòng)產(chǎn)生的16位循環(huán)冗余校驗碼,它是由前面送出的命令字、地址和讀取的存儲器數據并根據下列表達式生成的:

CRC16=X16+X15+X2+1

寫(xiě)存儲器命令主要針對第1頁(yè)和第2頁(yè)存儲器,其目的是寫(xiě)入各通道的工作方式控制字和對應通道的高、低門(mén)限設定值?偩(xiàn)管理器首先送出寫(xiě)存儲器命令字[55H],然后送出兩字節的16位存儲器起始地址,接著(zhù)逐個(gè)送出要寫(xiě)入的數據,其地址也是自動(dòng)加1。若在剛寫(xiě)完一個(gè)數據后執行讀操作,讀出的數據應剛好為前一次寫(xiě)入的數據,可利用這一特點(diǎn)對寫(xiě)入和讀出的數據進(jìn)行比較,以判斷傳輸的正確性。

如果在軟件校驗時(shí)發(fā)現讀/寫(xiě)中的傳輸錯誤,則必須對DS2450芯片進(jìn)行初始化,并重新進(jìn)行讀/寫(xiě)操作。

2.3 DS2450的工作時(shí)序

DS2450的一線(xiàn)工作協(xié)議流程是:初始化→ROM功能命令→存儲器讀寫(xiě)/轉換控制功能命令→傳輸數據。其工作時(shí)序包括初始化時(shí)序、寫(xiě)時(shí)序和讀時(shí)序,圖2給出了普通工作模式下的工作時(shí)序。





3 DS2450與單片機的典型接口設計

圖3是MCS-51系列單片機與DS2450的典型連接電路。其中DS2450的DATA端接AT89C51的P1.0,該電路采用外接電源供電方式,其DS2450的VCC端用 5V電源供電。此例僅對D通道進(jìn)行A/D轉換,AIN-D接模擬信號輸入;AIN-A和AIN-B外接上拉電阻到電源,其輸出可作為D通道的高、低限報警信號。


如果單片機系統所用的晶振頻率為12MHz,那么可根據DS2450的初始化時(shí)序、寫(xiě)時(shí)序和讀時(shí)序來(lái)分別編寫(xiě)三個(gè)子程序:其中INIT為初始化子程序,可用于發(fā)送復位脈沖并接收存在脈沖;WRITE為寫(xiě)(命令或數據字節)子程序;READ為讀數據子程序。所有要讀寫(xiě)的命令或數據字節均被放在A(yíng)寄存器中。

通過(guò)主機控制DS2450來(lái)完成A/D轉換一般要經(jīng)過(guò)以下幾個(gè)步驟:初始化、發(fā)ROM功能命令和相應的64位光刻ROM數據、選中特定芯片、寫(xiě)入工作方式控制字和高/低限門(mén)限值、發(fā)轉換控制命令、讀取轉換值及狀態(tài)等。

如果將D通道設定為5.1V輸入范圍,轉換精度為12位,高報警門(mén)限為3.0V(96H),低報警門(mén)限為2.0V(64H),并將通道A和通過(guò)B作為報警輸出,最后將轉換結果放在30H和31H處,那么其子程序CTLAD的具體程序清單如下:





















CTLAD:LCALLINIT;發(fā)復位脈沖并接收存在脈沖

如果一線(xiàn)上掛接有多個(gè)DS2450以及其他單總線(xiàn)接口芯片,那么采用寄生電源供電和超速模式工作且要求在通訊中進(jìn)行校驗的子程序CTLAD的編寫(xiě)可能會(huì )復雜一些。
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