基于CPLD控制的直流固態(tài)功率控制器的設計

發(fā)布時(shí)間:2010-11-7 20:03    發(fā)布者:techshare
關(guān)鍵詞: CPLD , 功率 , 固態(tài) , 控制器 , 直流
SSPC(固態(tài)功率控制器)是由半導體器件構成的智能開(kāi)關(guān)裝置,用于接通/斷開(kāi)電路,實(shí)現電路保護和接收上級計算機的控制信號并向上位機實(shí)時(shí)反饋其狀態(tài)信息。由于控制邏輯完全由CPLD內部的硬件電路完成,因此與功率器件一起工作時(shí),具有很好的電磁兼容性和抗干擾能力。研制多開(kāi)關(guān)的SSPC組共享大規?刂菩酒,具有相當大的工程實(shí)用價(jià)值,尤其適用于空間有限的場(chǎng)合,如飛機上。

本文充分利用CPLD的特點(diǎn),設計了具有集成度高、速度快、抗干擾能力強和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)的28V直流SSPC。在一塊電路板上集成多個(gè)SSPC,各個(gè)功率開(kāi)關(guān)問(wèn)相互獨立工作,進(jìn)一步提高了功率密度。

1 功能定義

28V直流SSPC應該具有以下功能:

(1) 接收上位機的控制信號。該控制信號能夠兼容TTL/CMOS電平,且高電平表示導通,低電平表示關(guān)斷;

(2) 根據流過(guò)的SSPC的電流邏輯分析出自身的狀態(tài),并根據表1中的代碼表示上傳給上位機;






(3) SSPC能夠實(shí)時(shí)診斷自身故障,并根據故障的嚴重程度不同,采取不同的保護措施。

2 總體方案設計

28V直流SSPC組的結構如圖1所示。






每路SSPC的取樣電阻上的電壓經(jīng)過(guò)調理電路和低通濾波以后,送到4通道的A/D轉換器的模擬輸入端,A/D轉換器的數據輸出端、狀態(tài)信號和控制信號分別接到CPLD的I/O引腳,便于程序控制A/D轉換器的動(dòng)作。CPLD另外的I/O口可以配置為MOSFET的動(dòng)作命令輸出口線(xiàn)、SSPC的狀態(tài)輸出口線(xiàn)和與上位機相連的控制命令輸入口線(xiàn);CPLD自身提供的JTAG BST電路,可以方便地測試系統內部測試器件之間的連接和檢驗器件的操作。

由CPLD組成的邏輯判斷電路的主要功能有:

(1) 將A/D轉換得到的數據通過(guò)邏輯判斷,綜合出SSPC的工作狀態(tài)并向上位機輸出;

(2) 接收上位機的控制命令,結合自身的工作狀態(tài),綜合得出SSPC的通斷信號,控制MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷。

3 硬件設計

(1) 關(guān)鍵器件選型

電力MOSFET選用IR公司的IRF540N,它的漏-源最大耐壓為IOOV,導通阻抗44mΩ,允許通過(guò)的最大電流33A。其最大優(yōu)點(diǎn)為納秒級的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間,能夠完全滿(mǎn)足設計需要。

邏輯控制芯片采用ALTERA公司的flex6000系列。該系列采用的OptiFLEX結構增加了器件的有效面積,可用門(mén)的數目達8 000~24 000門(mén),觸發(fā)器豐富且基于LUT(查找表)結構,能夠滿(mǎn)足系統處理數據的需要。其待機狀態(tài)的電流小于1mA的低功耗模式,具有強功能的I/O引腳和靈活的內部連接等優(yōu)點(diǎn),從而使其成為設計首選。

(2) 硬件電路的組成

①電力MOSFET驅動(dòng)和保護電路:采用專(zhuān)門(mén)的驅動(dòng)芯片TC4427,12V供電,如圖2所示。為了抑制電壓和電流的瞬變,MOSFET保護電路采用RCD吸收電路,用以減小器件的開(kāi)關(guān)損耗。






②取樣電路:利用取樣電阻(一般選用康銅絲),將流過(guò)負載的電流信號轉化成可測的電壓信號,經(jīng)過(guò)隔離放大器、整流電路、濾波電路、采樣保持器和A/D轉換電路,將數字信號傳送到CPLD進(jìn)行邏輯分析。

③信號采集和調理電路:通過(guò)隔離放大器,將取樣電阻的電壓調節到A/D轉換器的允許范圍內,經(jīng)過(guò)R-C低通濾波器濾除噪聲信號后,送到A/D轉換器的輸入端。

④A/D轉換電路:采用12位的四通道A/D轉換器AD7864,與CPLD的接口主要有:a.數據輸出線(xiàn):與CPLD的I/O口相連;b.控制線(xiàn):轉換啟動(dòng)信號(CONVST)、片選信號(CS)、通道選擇信號(H/S SEL和SL1~SL4)以及讀寫(xiě)控制信號(RD/WR)等;c.狀態(tài)線(xiàn):BUSY信號和轉換結束標志(EOC)等。

⑤隔離電路:CPLD為3V I/O供電和2.5V內核供電,因此采集的SSPC狀態(tài)信號和接收的電力MOSFET控制信號都需要經(jīng)過(guò)電平轉換及電氣隔離,但實(shí)際上要采用光耦隔離的方式進(jìn)行。因為MOSFET的控制信號需要較大的驅動(dòng)電流,如果直接從CPLD輸出來(lái)驅動(dòng),會(huì )因CPLD電流太小而無(wú)法驅動(dòng),所以實(shí)際中采用六通道反相器74LF04來(lái)做光耦前一級的驅動(dòng);接收上位機輸出的控制信號是從光耦輸出來(lái)的,其電流一般不大(Ie<5mA),所以可以直接接在CPLD的I/O口上。

4 軟件功能設計

(1) 控制AD7864的動(dòng)作,從數據口讀出轉換的結果。

運用狀態(tài)機的設計方法,AD7864的動(dòng)作可大致分為3個(gè)步驟區間,每個(gè)步驟對應一個(gè)狀態(tài),每個(gè)狀態(tài)賦予CPLD特定的功能。

①在步驟S0(CS=1、WR=1、RD=1)時(shí),A/D轉換之中;

②在步驟S1(CS=0、WR=1、RD=1)時(shí),監控EOC信號是否由高電平變?yōu)榈碗娖,?br /> A/D轉換是否結束;

③在步驟S2(CS=0、WR=1、RD=0)時(shí),從DB0~DB11讀取轉換的結果。

軟件流程如圖3所示。






(2) 對采集的數據進(jìn)行分析。

數據分析流程如圖4所示。






①當電流在額定范圍內時(shí),SSPC正常工作;

②當電流大于額定電流,而小于額定電流的800%時(shí),SSPC進(jìn)入反時(shí)限保護;

③當電流大于額定電流的800%時(shí),SSPC立刻跳閘。

下面介紹SSPC的反時(shí)限保護階段的算法推導。

反時(shí)限保護曲線(xiàn)的通用表達式為:




式中:t為以秒為單位的動(dòng)作時(shí)間;k為時(shí)間系數(整定值);I為測量的電流;Iopr為電流動(dòng)作定值。反時(shí)限保護曲線(xiàn)的陡度,由α、β共同決定。

將上式化為kβ=「(I/Iopr)α-1」t,

離散模型為:




采樣周期△t=20/N(ms)為常數(N為每周期內采樣點(diǎn)數),M為使等式成立時(shí)累加的采樣周期數;當電流I大于反時(shí)限啟動(dòng)電流Iopr時(shí),即I/Iopr大于1時(shí),在每個(gè)采樣周期中斷中將此周期的「(I/Iopr)α-1 」累加,當累加值大于kβ/△t時(shí),反時(shí)限累計延時(shí)到,保護跳閘。

VHDL語(yǔ)言實(shí)現的反時(shí)限保護算法流程如圖5所示。






(3) SSPC將內部采集到的電流信號、接收到的控制命令和內部狀態(tài)(包括系統啟動(dòng)的狀態(tài)、電流在不同的范圍內變化、跳閘的條件和從跳閘恢復到正常的條件以及故障切除和未切除時(shí)的系統啟動(dòng)等)經(jīng)過(guò)邏輯判斷后,綜合出MOSFET的導通/關(guān)斷指令,作為驅動(dòng)電路的輸入信號。

軟件流程如圖6所示。






5 試驗結果

仿真是在A(yíng)LTERA系列CPLD的開(kāi)發(fā)環(huán)境MAX+PLUS II上進(jìn)行的。當在不同的電流值下采集到的四路SSPC負載電流為不同值時(shí),SSPC的工作情況也不一樣。

(1) 當I/Iopr8時(shí),SSPC立即跳閘。

(2) 當I/Iopr為1.2(SSPC_1)、2(SSPC_2)、由1.2增加到2(SSPC_3)和5(SSPC_4)時(shí),SSPC的跳閘時(shí)間分別為402ms、161ms、223ms和26ms。

各個(gè)臨界點(diǎn)的實(shí)驗所得數據經(jīng)過(guò)曲線(xiàn)擬和,得到如圖7所示結果。




試驗結果表明,利用CPLD進(jìn)行SSPC的開(kāi)發(fā)設計,其延遲時(shí)間完全可以通過(guò)編程控制,且各路SSPC之間干擾較少。

CPLD內部的硬件結構決定了系統良好的抗干擾性和高可靠性,非常適合于電力系統方面的控制。因此,采用CPLD應是一個(gè)研究方向。
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