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作者： Yu Meng，安森美半導體 隔離型DC-DC轉換器歷來(lái)通過(guò)分立元件實(shí)施-分立驅動(dòng)IC和分立功率MOSFET。這些器件被用于各種拓撲結構。最主要的是“半橋”和“全橋”。 許多云基礎設施的應用采用半橋和全橋拓撲結構，如無(wú)線(xiàn)基站（遠程無(wú)線(xiàn)電單元）、電源模塊和任何板載隔離型DC-DC轉換器。其他應用包括工業(yè)領(lǐng)域，如電機驅動(dòng)器、風(fēng)扇和暖通空調(HVAC)。這些應用的設計工程師力求降低整體方案的大小或增加輸出功率。 
安森美半導體的FDMF8811是業(yè)界首款100 V橋式功率級模塊，優(yōu)化用于全橋和半橋拓撲。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。 與分立方案相比，FDMF8811可減少一個(gè)典型的全橋方案約三分之一的PCB面積。這令制造商設計更緊湊、高能效的產(chǎn)品。物料單(BOM)器件的數量也顯著(zhù)減少，實(shí)現供應鏈和裝配的高效。
如果PCB面積不是問(wèn)題，那FDMF8811可有助于在現有的PCB面積內提高設計的輸出功率。例如，這可通過(guò)從現有的、本來(lái)低功率拓撲結構，如有源鉗位正激、反激式或推拉式，轉為采用FDMF8811的半橋或全橋拓撲來(lái)實(shí)現。另一個(gè)例子是現有的采用分立MOSFET的半橋方案可以轉換為在相同的占板面積內的一個(gè)全橋拓撲。這種轉換使系統的輸出功率加倍。 FDMF8811集成了一對100V的功率MOSFET、120 V驅動(dòng)器IC和一個(gè)自舉二極管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封裝。
通過(guò)集成所有的關(guān)鍵動(dòng)力傳動(dòng)元件，安森美半導體已經(jīng)能優(yōu)化該模塊的驅動(dòng)器和MOSFET的動(dòng)態(tài)性能、系統寄生電感和功率MOSFET的導通電阻RDS（ON），從而保持盡可能最高的能效。該集成顯著(zhù)降低了供電回路的寄生效應。這大大降低電壓應力和電磁干擾(EMI)，提高系統的可靠性。 采用FDMF8811的隔離型DC-DC轉換器被充分優(yōu)化，以在最佳能效水平達到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，實(shí)在沒(méi)有理由再使用分立器件！ 欲觀(guān)看FDMF8811概述視頻了解更多關(guān)于該產(chǎn)品的優(yōu)勢，請見(jiàn)鏈接：http://www.onsemi.cn/PowerSoluti ... ampaign=BPS100_2017。 |
