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恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)推出業(yè)內面向915MHz應用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續波(CW)，比目前市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品高出百分之五十。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS，突破了半導體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業(yè)系統中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。 這款晶體管簡(jiǎn)單易用，極大方便了微波發(fā)生器設計人員。與真空管時(shí)代的技術(shù)（如磁控管）相比，MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全動(dòng)態(tài)范圍內進(jìn)行精確的功率控制，并可實(shí)現頻移，有助于精確地使用射頻能量。而且，MRF13750H的性能隨時(shí)間推移下降很小，能夠運行數十年，降低了總擁有成本。MRF13750H的工作電壓為50V，比磁控管更安全。另外，固態(tài)功率放大器尺寸小，有助于實(shí)現設計冗余和靈活性。 恩智浦市場(chǎng)射頻功率工業(yè)技術(shù)高級總監兼總經(jīng)理Pierre Piel表示：“長(cháng)期以來(lái)，半導體器件的可靠性和優(yōu)異的控制特性早已得到認同，但是工業(yè)系統設計人員難以組合多個(gè)晶體管來(lái)匹配磁控管的功率水平�，F在憑借MRF13750H的優(yōu)異性能，工業(yè)加熱工程師能在非常高功率的系統中使用這種晶體管�！� 射頻能量聯(lián)盟執行董事Klaus Werner表示：“鑒于固態(tài)射頻能量作為高效可控的熱源和功率源具有諸多優(yōu)勢，射頻能量聯(lián)盟(RFEA)認為該技術(shù)有著(zhù)不可估量的市場(chǎng)機會(huì )，不僅能夠改善現有的射頻能量應用，而且有助于開(kāi)發(fā)新的能量應用。新產(chǎn)品MRF13750H的強大性能無(wú)疑將加速行業(yè)向固態(tài)射頻技術(shù)的轉型�！� 這款新晶體管專(zhuān)為工業(yè)、科學(xué)和醫療(ISM)應用而設計，范圍從700MHz至1300MHz，特別適合工業(yè)加熱/干燥、固化和材料焊接及顆粒加速器應用。MRF13750H在915MHz時(shí)可提供750W CW，效率為67％，封裝為3×3.8英寸(7.6×9.7厘米)小封裝。 上市時(shí)間 MRF13750H現已提供樣品，將于2017年12月量產(chǎn)。915MHz CW參考電路現已提供。如需數據手冊或更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.nxp.com/MRF13750H。 |
