為高頻步進(jìn)DC-DC設計實(shí)現高效率的升壓開(kāi)關(guān)(飛兆)

發(fā)布時(shí)間:2009-9-30 13:37    發(fā)布者:嵌入式公社
飛兆半導體Fairchild)全新的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT,有助提高手機、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路效率。該器件結合了30V集成式N溝道PowerTrench MOSFET和肖特基二極管,具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷(1nC),以提升DC-DC升壓設計的效率。FDFME3N311ZT采用飛兆半導體專(zhuān)有的PowerTrench工藝技術(shù),通過(guò)仔細優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗。其肖特基二極管的反向泄漏電流隨溫度升高的變化小,可以防止轉換器效率隨封裝溫度升高而降低。該器件在緊湊 (1.6mm x 1.6mm) 和低側高 (0.55mm) MicroFET薄型封裝中,集成了兩個(gè)分立器件,不但能夠滿(mǎn)足緊湊型DC-DC升壓設計的需求,而且相比先前的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品節省36% 的電路板空間。



FDFME3N311ZT提供30V的擊穿電壓,可為手機等應用驅動(dòng)多達7個(gè)或8個(gè)白光LED(實(shí)際數字取決于所選擇的LED和設計保護帶)。白光LED通常用作手機等移動(dòng)設備的顯示器的背光照明,一般以串聯(lián)方式連接,以確保每個(gè)LED具有相同的正向電流和亮度。以每個(gè)LED的正向電壓約為3-3.5V計算,使用這款升壓開(kāi)關(guān)將有助于逐步提高現有的電池升壓輸出電壓(大多數情況下為單一鋰電池)。

這款升壓開(kāi)關(guān)是飛兆半導體多元化的MOSFET產(chǎn)品系列的最新成員,該產(chǎn)品系列具有寬泛的擊穿電壓 (20V-1000V) 范圍和先進(jìn)的封裝技術(shù)等特點(diǎn),能夠解決現時(shí)設計所面對的各種復雜的功率和空間難題。

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