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清華大學(xué)與TSMC 16日共同發(fā)表65nm產(chǎn)學(xué)合作成果，藉由TSMC所提供的65nm制程晶圓共乘服務(wù)，清華大學(xué)微電子學(xué)研究所在半數字鎖相環(huán)(Phase Lock Loop)以及模擬/數字轉換器(Analog Digital Converter)二項研究上創(chuàng )下世界級的里程碑，為中國的集成電路設計業(yè)帶來(lái)創(chuàng )新的發(fā)展。 TSMC為了協(xié)助清華大學(xué)優(yōu)秀的青年學(xué)子實(shí)現其卓越的設計構想，自2010年起提供多次65nm 及90nm制程晶圓共乘服務(wù)，讓同學(xué)們在TSMC的協(xié)助下，落實(shí)系統單芯片（SoC）的數字、模擬、射頻混合信號集成電路設計以及IP等先進(jìn)研究項目的創(chuàng )新開(kāi)發(fā)，目前已有具體成效。 在鎖相環(huán)電路方面，清華大學(xué)結合TSMC65nm制程的先進(jìn)技術(shù)平臺，領(lǐng)先業(yè)界開(kāi)發(fā)半數字(Semi-Digital)的設計方式，有效改善傳統全模擬(Full Analog)及全數字(Full Digital)設計所導致的高漏電與高耗電的缺點(diǎn)，達到先進(jìn)制程縮小芯片尺寸并能同時(shí)降低耗電的顯著(zhù)成果，與國際已發(fā)表的傳統設計相較具有明顯優(yōu)勢。 在模擬數字轉換器方面，清華大學(xué)針對無(wú)線(xiàn)通訊產(chǎn)品所需的模擬數字轉換器進(jìn)行研究，提出簡(jiǎn)化放大器與比較器的設計，在TSMC65nm制程 1volt（伏特）標準工作電壓下，其信號對諧波失真與噪聲比(Signal to Noise plus Distortion Reduction, SNDR) 精確性高達95dB(分貝），同時(shí)耗電小于380μw（微瓦），并且在工作電壓降低到0.6volt時(shí)，仍然保有90.2dB的SNDR水準，突破業(yè)界現有的SNDR表現。 國家863計劃資訊領(lǐng)域專(zhuān)家組成員暨清華大學(xué)教授王志華博士表示，TSMC提供清華大學(xué)65nm制程晶圓共乘服務(wù)，讓清華大學(xué)的教授、學(xué)生有機會(huì )利用業(yè)界最優(yōu)異的先進(jìn)制程進(jìn)行創(chuàng )新設計，并且快速地完成了兩項高水平、領(lǐng)先業(yè)界的研究成果，奠定以往難有的佳績(jì)，進(jìn)一步提升中國集成電路設計業(yè)的水準，建立產(chǎn)學(xué)合作典范，相信未來(lái)雙方的密切合作將可為中國的半導體業(yè)帶來(lái)更豐沛的創(chuàng )新動(dòng)能。 TSMC中國業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮球指出，人才是中國半導體業(yè)的發(fā)展基石，TSMC一直在培養國內人才上作出積極貢獻。此次清華大學(xué)65nm的創(chuàng )新設計, 在TSMC先進(jìn)工藝平臺流片, 驗證其實(shí)際效能已超越世界水平, 更是充分體現了產(chǎn)學(xué)研合作的優(yōu)勢。未來(lái)TSMC將繼續以先進(jìn)的技術(shù)與充沛的產(chǎn)能，為學(xué)界及客戶(hù)提供最強而有力的支持，成為中國創(chuàng )新設計的最佳合作伙伴。 來(lái)源：賽迪網(wǎng) |
