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設計自動(dòng)化的測試系統開(kāi)關(guān)需要搞清楚要開(kāi)關(guān)信號和要執行測試的特點(diǎn)。例如，在測試應用中承受開(kāi)關(guān)電壓信號的最合適的開(kāi)關(guān)卡和技術(shù)取決于其涉及電壓的幅值和阻抗。 中等大小電壓的開(kāi)關(guān) 中等大小電壓應用（1V到200V）通常要把一個(gè)伏特計或電壓源切換到多個(gè)器件，例如測試電池、電化電池、電路配件、熱電偶等。切換多個(gè)電源和切換多個(gè)負載各自分別存在相應的問(wèn)題。 一個(gè)伏特計到多個(gè)串聯(lián)電源的開(kāi)關(guān) 圖1給出了切換伏特計到多個(gè)串聯(lián)的30電壓源（VS）的情形。為了避免其中一個(gè)或多個(gè)發(fā)生短路，必須在關(guān)閉一個(gè)通道之前打開(kāi)另一個(gè)通道（操作前斷開(kāi)）。此外，要給每個(gè)電壓源串聯(lián)熔絲，避免超過(guò)卡的共模額定電壓。在這個(gè)例子中，每個(gè)電源都是12V，整個(gè)串聯(lián)電源的總電壓為360V。最好采用至少500V的通道-通道額定電壓和共模額定電壓。 圖1.一個(gè)伏特計到多個(gè)串聯(lián)電源的開(kāi)關(guān) 一個(gè)電壓源到多個(gè)負載的開(kāi)關(guān) 圖2給出了單個(gè)電壓源連接多個(gè)負載的情形。如果兩個(gè)或多個(gè)負載連接電源，那么由于流過(guò)公共阻抗（R）（例如測試引線(xiàn)和線(xiàn)路電阻）的電流影響，每個(gè)負載上的電壓可能會(huì )小于期望值。隨著(zhù)額外負載的接入，總電流將會(huì )增大，從而提高了公共阻抗（R）上的電壓降。 圖2.一個(gè)電壓源到多個(gè)負載的開(kāi)關(guān) 開(kāi)關(guān)電阻 當把一個(gè)電壓源切換到多個(gè)器件時(shí)，可能必須對開(kāi)關(guān)電阻產(chǎn)生的電壓降進(jìn)行補償。特別地，如果器件具有較低的電阻，流過(guò)開(kāi)關(guān)的電流可能會(huì )產(chǎn)生較大的電壓降。在遠程檢測中，負載上跨接了外部檢測電路，這種方式有助于校正開(kāi)關(guān)和布線(xiàn)上的所有電壓降。 低壓開(kāi)關(guān) 當開(kāi)關(guān)控制的信號電平為毫伏甚至更低時(shí)，采用特殊的技術(shù)有助于防止電壓誤差。這些誤差可能來(lái)自于卡上或者連接線(xiàn)中的熱電偏移電壓、開(kāi)關(guān)膜污染、磁場(chǎng)干擾或接地環(huán)路。 熱電偏移電壓 低電壓卡的一項關(guān)鍵指標是它的接觸電位，即熱電偏移電壓。熱電電壓是不同金屬構成的結點(diǎn)上的溫度差產(chǎn)生的電壓，例如鎳鐵笛簧繼電器與它們連接的銅導體之間。這種溫度梯度主要由激勵線(xiàn)圈的功耗引起的。這一偏移電壓直接疊加到信號電壓上，可以建模為一個(gè)不需要的電壓源與目標信號串聯(lián)。偏移電壓會(huì )給待測器件（DUT）所施加的激勵或伏特計測量的結果造成誤差。 多種因素都會(huì )影響熱電電壓導致的卡的漂移電平，包括所采用的繼電器類(lèi)型（笛簧式、固態(tài)式或機電式）、線(xiàn)圈驅動(dòng)技術(shù)（閂鎖或非閂鎖）以及用于觸點(diǎn)電鍍的材料（例如，鎳合金或金）。 在笛簧繼電器通電之后，它線(xiàn)圈上的功耗將使其溫度上升幾分鐘，因此在觸點(diǎn)閉合之后的幾秒鐘內完成低壓測量是非常重要的。如果在閉合之后的幾分鐘時(shí)間內進(jìn)行了很多測量，那么讀數中將會(huì )加入不斷增大的熱電電壓。熱時(shí)間常數的大小可以從幾秒到幾小時(shí)不等。即使固態(tài)繼電器沒(méi)有線(xiàn)圈損耗，內部IR壓降產(chǎn)生的熱量仍然會(huì )產(chǎn)生熱電漂移。閂鎖繼電器采用電流脈沖進(jìn)行激勵，因此具有很低的熱電漂移。 與開(kāi)關(guān)卡的連接也是一個(gè)產(chǎn)生發(fā)熱電壓的來(lái)源。我們應該盡量采用沒(méi)有鍍錫的銅線(xiàn)連接開(kāi)關(guān)卡，并且保持所有引線(xiàn)處于相同的溫度�？梢圆捎靡粋�(gè)短路通道構建零基值的方式對偏移電壓進(jìn)行補償。但是，這種補償方式并不理想，因為由于自熱和環(huán)境溫度的變化，偏移電壓會(huì )隨著(zhù)時(shí)間發(fā)生變化。 在切換低電壓同時(shí)又進(jìn)行低電阻測量時(shí)，可以采用偏移補償的方式抵消熱電偏移電壓，這需要利用兩個(gè)不同的電流值進(jìn)行兩次電壓測量。用兩次電壓測量結果的差除以?xún)纱螠y試電流的差，即可計算機出電阻的值 開(kāi)關(guān)膜污染 隨著(zhù)時(shí)間的延長(cháng)，繼電器接觸點(diǎn)的表面會(huì )形成一層污染膜，從而增大它的電阻，在低電壓測量或供電情況下這會(huì )使得開(kāi)關(guān)電壓變得不穩定。＞l00mV的電壓通常不受這種污染的影響。采用固態(tài)開(kāi)關(guān)式掃描卡可以防止這一問(wèn)題。 磁干擾 磁通量的高速變化，例如開(kāi)關(guān)電源或者高電流信號通斷所產(chǎn)生的，會(huì )在相鄰的低壓電路中感應出幾個(gè)微伏的電壓，造成明顯的誤差。通過(guò)將噪聲源與敏感電路盡可能分離開(kāi)，進(jìn)行磁場(chǎng)屏蔽，使用帶屏蔽的雙絞線(xiàn)，減少噪聲源和信號導線(xiàn)的有限區域等措施，可以最大限度地減少磁干擾問(wèn)題。 接地環(huán)路 如果兩個(gè)接地點(diǎn)之間存在較小的電位差，那么系統的某些敏感部分可能會(huì )產(chǎn)生一定的地電流。這種情況只出現在某些開(kāi)關(guān)閉合，進(jìn)行復雜診斷的情況下。無(wú)論什么時(shí)候，盡量保持一個(gè)系統接地點(diǎn)。如果做不到這一點(diǎn)，可以采用基于光耦合或平衡變壓器的隔離技術(shù)，增大兩點(diǎn)之間的有效電阻，將公共地電流降低至可以忽略的水平。 高壓開(kāi)關(guān) 線(xiàn)纜和印制電路板的絕緣電阻測試或者耐壓測試通常都涉及高電壓的開(kāi)關(guān)切換。為了避免損壞開(kāi)關(guān)卡，在開(kāi)關(guān)切換200V以上的電壓時(shí)必須十分謹慎，要選擇額定指標符合所需電壓與功率大小的開(kāi)關(guān)卡，例如用于3706型系統開(kāi)關(guān)/萬(wàn)用表（如圖3所示）的吉時(shí)利3720型雙1x30多路復用卡，以及額定指標合適的線(xiàn)纜。如果可行，采用冷開(kāi)關(guān)的方式可以延長(cháng)繼電器的壽命，增大所容許的電流。 圖3.吉時(shí)利3706型系統開(kāi)關(guān)/萬(wàn)用表 電抗性負載會(huì )引起過(guò)大的電流和電壓跳變，因此為了防止損壞繼電器和外部電路，容性負載需要采取電流浪涌限制措施，感性負載需要采用電壓箝位措施。 高阻抗電壓開(kāi)關(guān) 高阻抗電壓開(kāi)關(guān)需要用在監測電化學(xué)電池、測量半導體電阻率之類(lèi)的應用中。開(kāi)關(guān)和測量具有高內部阻抗的電壓源會(huì )遇到諸如偏移電流、雜散漏流和靜電干擾之類(lèi)的誤差。采用并聯(lián)電容技術(shù)可以延長(cháng)穩定時(shí)間。 當選擇開(kāi)關(guān)高阻抗電壓的開(kāi)關(guān)卡時(shí)，要確保該卡具有較低的偏移電流。流過(guò)高阻抗器件的任何偏移電流都會(huì )在器件上產(chǎn)生不需要的電壓，加入電壓測量中。 高阻抗電路對靜電干擾十分敏感，因此DUT和連接線(xiàn)都應該很好地屏蔽以防止噪聲感應。 測試儀器、開(kāi)關(guān)卡、線(xiàn)纜和夾具中的漏電流都會(huì )因為降低測量電壓而帶來(lái)誤差。因此要選擇具有較高隔離電阻的開(kāi)關(guān)卡，盡量在所有可能的地方使用保護電路，盡可能選擇具有最高絕緣電阻的絕緣體。 響應時(shí)間是開(kāi)關(guān)高阻抗電壓信號時(shí)比較關(guān)注的另外一個(gè)關(guān)鍵因素。開(kāi)關(guān)和相關(guān)線(xiàn)纜中的并聯(lián)電阻會(huì )引起額外的響應時(shí)間。在某些情況下，采用激勵保護電路可以大大消除并聯(lián)電容，使得線(xiàn)纜的屏蔽層與其中心導線(xiàn)（或者高阻抗引線(xiàn)）保持幾乎相同的電位。圖4a給出了一種通過(guò)開(kāi)關(guān)連接靜電伏特計的高阻抗電壓情形。注意其對階躍函數的緩慢相應。要保護這個(gè)信號，可以在靜電計的保護輸出端與卡的屏蔽端之間設置一個(gè)連接，如圖4b所示。某些靜電計，例如吉時(shí)利的6517B，可以通過(guò)開(kāi)啟內部保護連接功能從內部實(shí)現這一連接。開(kāi)啟這一保護功能有效減少了線(xiàn)纜和開(kāi)關(guān)電容，從而改善了靜電計的響應時(shí)間。 圖4a.高阻抗電壓源到靜電計的開(kāi)關(guān) 圖4b.采用激勵保護電路抵消并聯(lián)電容 如果保護電壓超過(guò)30VDC，那么必須采用基于三軸連接的卡以確保安全性。適用于高阻抗電壓開(kāi)關(guān)的卡包括吉時(shí)利面向7000系列開(kāi)關(guān)主機的7158型卡（如圖5所示）和面向6517B靜電計的6522型卡（如圖6所示）。 圖5.吉時(shí)利7001型開(kāi)關(guān)主機 圖6.用于吉時(shí)利6517B型靜電計/高電阻計的開(kāi)關(guān)卡 |
