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背景描述 許多公司已經(jīng)利用具有極強能力和性能的發(fā)射機創(chuàng )造了大量輝煌成績(jì)。開(kāi)發(fā)工作取得了新的突破，而他們的核心設計內容是新的執行標準。但某些情況下，在給發(fā)射機建模時(shí)，理解傳輸中的潛在測量標準會(huì )使工程師感到困惑。 飛思卡爾半導體在針對汽車(chē)、消耗裝置、工業(yè)和網(wǎng)絡(luò )化市場(chǎng)的嵌入式半導體設計和制造方面居世界領(lǐng)導地位，能發(fā)現新思路，并用Tektronix獨特的IConnect軟件將其與現有發(fā)射機建模方法相關(guān)聯(lián)。 飛思卡爾半導體的信號整合工程師Naresh Dhamija曾說(shuō)：“ 有了IConnect軟件，我們能以不同的方式實(shí)現我們的方法，這真是太奇妙了。設計團隊現在能看到實(shí)際的Tx/Rx芯片終結電阻以及基板/封裝斷續情況�！彼�補充說(shuō)：“用Iconnect軟件，可在測量的基礎上提取模型，不同于由模擬提取的純數學(xué)模型，這種模型更接近實(shí)際的硅�！� 飛思卡爾半導體使用Tektronix IConnect軟件為發(fā)射機建模 在DSA8200 TDR平臺上運行時(shí)，IConnect軟件是一種效率高、使用方便且性?xún)r(jià)比高的解決方案，可在測量的基礎上對gigabit內連鏈接和裝置進(jìn)行性能演變，包括信號整合分析、阻抗、S參數以及可見(jiàn)圖形測試和故障隔離。 處理過(guò)程 圖1顯示了測量用的測試設置。這里，灰色區域內的每個(gè)元件都是發(fā)射機的一部分，在帶有TDR測量探頭的DSA8200中用泰克IConnect軟件進(jìn)行測試時(shí)，可作為裝置設備。 采用該設置，TDR和發(fā)射機產(chǎn)生振幅為100mV pk-pk的1010....（時(shí)鐘格式）作為到80E08采樣頭的輸入，并平均DSA8200中取得的300個(gè)采集點(diǎn)，從而過(guò)濾發(fā)射機的切換噪音。通過(guò)以上捕捉到的輸入，以Zo為參引，計算出Z線(xiàn)為50歐。在阻抗輪廓線(xiàn)上顯示最左邊為50歐，最右邊為42.5歐，即發(fā)射機的輸出阻抗，如圖3中IConnect捕捉到的所示。從TRD測量探頭一側看，為發(fā)射機的輸入阻抗。DUT上看到另一側-從發(fā)射側看為輸出阻抗。 要看到輸出阻抗，Z線(xiàn)須翻轉，作為模擬時(shí)的輸入，但模擬時(shí)不接受Z線(xiàn)作為輸入。實(shí)際DUT的翻轉Z線(xiàn)十分理想，可作日后參考。對于輸入，我們將DUT的電壓波形翻轉，并稱(chēng)之為翻轉DUT。這時(shí)，根據相同的簡(jiǎn)短參引和Zo參引，我們計算出翻轉DUT電壓波形的Z線(xiàn)，得出發(fā)射機的輸入阻抗為42.5歐，而不是50歐。這與圖3中所示的實(shí)際DUT的翻轉Z線(xiàn)一致。 模擬時(shí)，采用了單線(xiàn)模型的布局，因為這是與反射參引和簡(jiǎn)短/開(kāi)放式參引工作的唯一模塊。我們再次使用了計算得出的Z線(xiàn)，其具有相同的翻轉DUT、相同的簡(jiǎn)短參引和同樣為42.5歐的Zo。 如圖4所示，采用了精確分割。接著(zhù)，在該模型上進(jìn)行模擬。如圖5所示，按下模擬按鈕，將終端改為50歐，從而使模擬的TDR電壓波形與翻轉的TDR電壓波形準確匹配。 眼圖選擇可設置101010種型式，電壓等級從-50mV至50mV，上升時(shí)間可達70 ps。采用Iconnect得出的模擬眼圖（圖6）與圖2的測量眼圖類(lèi)似。 飛思卡爾半導體公司的信號完整性分析工程師Rajeev Sharma說(shuō)：“采用TDR測量技術(shù)時(shí)，我們試圖采用了TDT測量技術(shù)。只是，我們沒(méi)有在該模型中假設R=G=0。提取無(wú)損的包的模型和只有一個(gè)接口的Tx/Rx實(shí)際終端，這是十分有用的。采用這一方法，我們可以預測眼圖形狀失真，這是由于發(fā)射線(xiàn)的不連續性造成的，包括電路板跡線(xiàn)，連接器，插座等因素�！� 泰克科技：在數字時(shí)代的創(chuàng )新 泰克IConnect軟件在行業(yè)內獨具一格，在不斷更新的數字時(shí)代，這是創(chuàng )新的又一實(shí)例。飛思卡爾半導體公司模擬發(fā)射機最重要的一點(diǎn)是，從發(fā)射側看，得出了一個(gè)真實(shí)的阻抗輪廓線(xiàn)。IConnect可嘗試無(wú)限的范圍，這使它具有驚人的靈活性。 飛思卡爾半導體公司高級設計工程師Naresh Dhamija稱(chēng)：“IConnect幫助我們獲得了從驅動(dòng)器到電路板跡線(xiàn)的阻抗輪廓線(xiàn)，并接收到重要信息，例如，對包和芯片寄生行為的模擬等。事實(shí)上，當產(chǎn)生的發(fā)射達到效率水平時(shí)，的確不需要說(shuō)示波器上所見(jiàn)波形與IConnect模擬的眼圖上相同�！� |
