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器件在700MHz下的帶寬為-3dB，有掉電保護功能，采用超小尺寸的新型μDFN6封裝 Vishay推出新的單片SPDT模擬開(kāi)關(guān)，并在業(yè)內首次采用了超小尺寸的新型μDFN6封裝。Vishay Siliconix DG3257非常適合用在便攜式消費產(chǎn)品和醫療設備中切換模擬和數字信號，在4.2V下的電阻為5Ω，并且提高了帶寬，減少了寄生電容，還有掉電保護功能。 
今天推出的這顆器件尺寸為1mm x 1mm x 0.35mm，比mQFN6封裝小29%，厚度小36%。DG3257的小尺寸使其在智能手機、平板電腦和電子書(shū)，智能手表和健身計步器等可穿戴設備，便攜式醫療儀器，攝像頭和音響，物聯(lián)網(wǎng)應用，計算機和外設，以及數據存儲設備中能有效節省寶貴的PCB空間。 相比前一代器件在300MHz下的-3dB帶寬，DG3257將帶寬提高到超過(guò)700MHz。這顆5Ω SPDT開(kāi)關(guān)響應時(shí)間很快，開(kāi)通時(shí)間為17ns，超低延遲為100ps。開(kāi)關(guān)在240MHz下的串擾為32dB，比競爭產(chǎn)品低10dB，隔離為-33dB。器件采用亞微米的CMOS工藝制造，寄生電容CD(ON)為9pF，降低了50%，CS(OFF)為3pF。 DG3257可處理雙向的信號流，用一節鋰離子電池供電就能工作。DG3257的工作電壓為1.65V～5.5V，在關(guān)機狀態(tài)下的漏電流小于1μA。當拔掉外部供電電源時(shí)，這個(gè)功能可以避免過(guò)從電池消耗過(guò)大的電流。器件的邏輯閾值為1.4V，保證與低壓TTL/CMOS器件兼容。當與低壓MCU接口時(shí)，開(kāi)關(guān)的最大耗電僅為1.5μA，比競爭器件低90%。 器件符合RoHS，可承受超過(guò)6kV的ESD（人體模型），閂鎖電流為300mA，符合per JESD78的要求。 新模擬開(kāi)關(guān)現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。 |
