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弗吉尼亞州夏洛茨維爾市，2011年1月12日訊-GE智能平臺宣布推出半高卡PCIE-5565PIORC PCI Express反射內存節點(diǎn)卡，進(jìn)一步擴充了GE的RFM 5565反射內存解決方案陣容，也體現了GE在該技術(shù)上的廣泛經(jīng)驗。半高卡PCIE-5565PIORC的設計除面向仿真與培訓、工業(yè)過(guò)程控制和數據流與采集等實(shí)時(shí)應用，還可以滿(mǎn)足各種商業(yè)、電信和軍事&航空航天應用對高可用性冗余的需求。這種應用通常需要以確定性的高速率傳輸和共享數據，而在很多情況下符合該環(huán)境的解決方案就是反射內存。 
反射內存網(wǎng)絡(luò )是一種特殊的共享內存系統，可通過(guò)多臺獨立計算機共享一套統一數據。反射內存可自主將某處理器的內存內容復制到其他所有網(wǎng)絡(luò )成員的內存節點(diǎn)。 “反射內存是一個(gè)獨特的解決方案，可符合對確定性、實(shí)施簡(jiǎn)單性、零軟件管理費用和操作系統獨立性等因素要求很高的環(huán)境需求。”GE智能平臺的商業(yè)產(chǎn)品管理主管Wayne McGee稱(chēng)。“其他技術(shù)，如千兆以太網(wǎng)、Infiniband和光纖通道，據稱(chēng)可取代反射內存，但至今尚未實(shí)現，因為它們并不完全具備所需的性能。而對于任務(wù)關(guān)鍵性應用，反射內存專(zhuān)門(mén)實(shí)現多臺處理器的實(shí)時(shí)數據共享。” PCI-5565PIORC具有許多客戶(hù)應用時(shí)非�？粗氐捏w積小的特點(diǎn)。該板卡的特點(diǎn)包括2.12 Gbaud串聯(lián)速率、更佳的可編程I/O（PIO）讀取性能、現場(chǎng)可升級固件和RoHS合規性。PCI峰值速率已加倍到每秒512Mbytes，支持更大內存（256MBytes）。GE的反射內存網(wǎng)絡(luò )可擴展到256個(gè)節點(diǎn)，運行速度達到每秒174 Mbytes。節點(diǎn)之間的距離可達到10公里。 反射內存憑借低延遲和確定性成為許多嚴苛應用的最佳解決方案。使用反射內存，節點(diǎn)與節點(diǎn)傳輸時(shí)間通常為1微秒。因此，對于擁有30個(gè)節點(diǎn)的系統，通過(guò)網(wǎng)絡(luò )傳輸到所有節點(diǎn)的時(shí)間只需30微秒。由于IP協(xié)議費用、尋址和內存寫(xiě)入次數等限制，即使使用數據報廣播，采用以太網(wǎng)等其他網(wǎng)絡(luò )技術(shù)要達到相同的延遲也是相當困難的。 欲詳細了解GE的反射內存技術(shù)和產(chǎn)品，請訪(fǎng)問(wèn) www.vmic5565.com |
