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新型射頻解決方案組合提供業(yè)界最高的集成度和性能，用于實(shí)現經(jīng)濟高效的大規模MIMO有源天線(xiàn)系統 恩智浦半導體推出用于實(shí)現5G基礎設施的新型射頻前端解決方案。恩智浦的產(chǎn)品組合解決了在開(kāi)發(fā)用于5G大規模多輸入多輸出(mMIMO)的蜂窩基礎設施時(shí)，涉及的幾個(gè)最棘手的問(wèn)題，包括功率放大器集成、不斷縮小的電路板空間、實(shí)際占位面積以及不同型號之間的引腳兼容性。 mMIMO是5G的重要基礎，因為它能夠滿(mǎn)足網(wǎng)絡(luò )對射頻(RF)技術(shù)的需求，以應對5G即將帶來(lái)的數據使用量激增。mMIMO在特定頻譜中傳輸的數據量遠多于當前和傳統的無(wú)線(xiàn)電技術(shù)。 恩智浦在本周的國際微波研討會(huì )(IMS2018)上推出面向5G的新型前端解決方案，旨在應對開(kāi)發(fā)外形尺寸最小的經(jīng)濟高效型高性能解決方案的關(guān)鍵挑戰，為蜂窩基礎設施提供新一代有源天線(xiàn)系統(AAS)。簡(jiǎn)而言之：將mMIMO需要的一切功能集成到盡可能小的器件中。 
恩智浦推出了高度集成且外形尺寸更小的解決方案組合來(lái)應對這一挑戰，因而對客戶(hù)來(lái)說(shuō)更加易用和經(jīng)濟高效，并在所有頻段和功率水平之間實(shí)現即插即用。恩智浦前端解決方案產(chǎn)品線(xiàn)總監Mario Bokatius表示：“開(kāi)發(fā)這些器件的目的是讓客戶(hù)能夠以盡可能低的成本設計他們的系統�！� 恩智浦前端解決方案覆蓋了對早期5G蜂窩網(wǎng)絡(luò )開(kāi)發(fā)最關(guān)鍵的頻率范圍，即2.3 GHz至5 GHz。 用于5G實(shí)現的恩智浦前端解決方案包括對開(kāi)發(fā)mMIMO射頻前端最關(guān)鍵的三種不同功能： • 高效率功率放大器模塊(PAM)，在輸入端和輸出端完全匹配至50 Ohm，實(shí)現了占位面積和引腳兼容，覆蓋廣泛的功率水平范圍和頻段，并采用相同的板設計； • 前置驅動(dòng)器放大器模塊，具有超低的功耗，覆蓋從2.3 GHz到5 GHz的整個(gè)頻率范圍，在器件系列內部實(shí)現完全的占位面積和引腳兼容； • 接收器前端模塊，提供集成的時(shí)分雙工(TDD)切換和用于信號接收的低噪聲放大(LNA)功能。 Bokatius表示：“我們在不影響高性能要求的前提下提供最高的集成度，但這只是一個(gè)開(kāi)始。展望未來(lái)，隨著(zhù)恩智浦繼續致力于提供業(yè)界占位面積最小、成本最低的解決方案，我們還將實(shí)現更多的集成�！� 恩智浦充分利用硅基LDMOS技術(shù)，為射頻產(chǎn)品客戶(hù)提供最有利的成本結構。自從幾十年前問(wèn)世以來(lái)，LDMOS經(jīng)歷了持續創(chuàng )新。LDMOS能夠提供持續提高的高功率水平，具有很高的增益和效率，再結合出色的耐用性和低發(fā)熱特征，這些優(yōu)點(diǎn)使得它成為射頻功率放大器應用中的主導器件技術(shù)，適用于從1 GHz以下到3 GHz的頻率范圍。恩智浦的LDMOS技術(shù)現在將其領(lǐng)先地位擴展到高達5 GHz的頻率范圍。使用LDMOS技術(shù)，這些解決方案能夠提供與非硅基射頻功率晶體管同等的高性能，而且可靠性更高，成本更低。 恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業(yè)部總經(jīng)理Paul Hart表示：“憑借我們的領(lǐng)先優(yōu)勢和在無(wú)線(xiàn)通信行業(yè)的雄厚技術(shù)實(shí)力，我們在作為合作伙伴繼續為客戶(hù)提供5G解決方案方面處于非常有利的地位�！� 供貨情況 大多數用于5G實(shí)現的恩智浦前端解決方案目前已經(jīng)面市，很快還將有更多產(chǎn)品推向市場(chǎng)。有關(guān)購買(mǎi)信息，請聯(lián)系恩智浦銷(xiāo)售人員。 如需了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.nxp.com/RF。 |
