|
來(lái)源：經(jīng)濟日報 近日，中科院金屬研究所孫東明團隊聯(lián)合劉暢團隊，研發(fā)了一種連續合成、沉積和轉移單壁碳納米管薄膜的技術(shù)，首次在世界范圍內制備出米級尺寸高質(zhì)量單壁碳納米管薄膜，并基于此構建出高性能的全碳薄膜晶體管（TFT）和集成電路（IC）器件。 單壁碳納米管因具有優(yōu)異的力學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，被認為是制作柔性和透明電子器件最具競爭力的候選材料之一。但能否發(fā)展一種高效、宏量制備高質(zhì)量單壁碳納米管薄膜的制備方法，一定程度上決定著(zhù)該材料能否走向實(shí)際應用。研發(fā)團隊有關(guān)負責人解釋?zhuān)紫�，迄今制備的單壁碳納米管薄膜的尺寸通常為厘米量級，批次制備方式不能滿(mǎn)足規�；瘧靡�。其次，由于在碳納米管薄膜制備工藝過(guò)程中通常會(huì )引入雜質(zhì)和結構缺陷，使得薄膜的光電性能劣化，遠低于理論預測值，種種因素導致單壁碳納米管薄膜的制備一直不甚理想。 通過(guò)制備方法的創(chuàng )新，研發(fā)團隊獲得了長(cháng)度超過(guò)2米的單壁碳納米管薄膜。這是我國科學(xué)家首次開(kāi)發(fā)出米級長(cháng)度的單壁碳納米管薄膜的連續生長(cháng)、沉積和轉移技術(shù)，為未來(lái)開(kāi)發(fā)基于單壁碳納米管薄膜的大面積、柔性和透明電子器件奠定了材料基礎。 |
