官宣：銀聯(lián)寶首推低壓mos管！

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銀聯(lián)寶首次推出低壓mos管。下面小編呢就重點(diǎn)給大家介紹一下什么是低壓mos管！
一、什么是低壓mos管
mos管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管�；蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。

二、低壓mos的主要參數：
1.開(kāi)啟電壓VT
·開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導電溝道所需的柵極電壓；
·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
mos管·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比、這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。
漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長(cháng)度較短，不斷增加VDS會(huì )使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長(cháng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區中的多數載流子，直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達漏區，產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加柵源電壓過(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導gm
·在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內
6. 導通電阻RON
·導通電阻RON說(shuō)明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線(xiàn)的斜率的倒數
·在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
7. 極間電容
·三個(gè)電極之間都存在著(zhù)極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS。
以上是對低壓mos管的簡(jiǎn)單介紹，有需要的詳細可咨詢(xún)銀聯(lián)寶，我們可提供免費送樣！elanpo銀聯(lián)寶團隊將為您提供合理的建議。