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高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212成熟型方案替換亞成微 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212 是一款符合 6 級能效標準的次級反饋，反激式 AC-DC 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片。芯片內置高壓功率管，芯片內還包含有準諧振檢測、SLEEP 超低待機、自供電等電路，并具有輸出短路、次級開(kāi)路、過(guò)溫、過(guò)壓等保護功能。芯片采用高集成度的 CMOS 電路設計，具有外圍元件極少，變壓器成本低（隔離輸出電路的變壓器只需要兩個(gè)繞組）等特點(diǎn)。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212產(chǎn)品特點(diǎn) 全電壓輸入 85V—265V。 內置 700V 功率管。 專(zhuān)利的自供電技術(shù)，變壓器無(wú)需外部供電繞組, 無(wú)需啟動(dòng)電阻( 降低成品成本) 。 特有的 SLEEP 技術(shù)使芯片具有超低的待機功耗。 內置 PWM 準諧振電路，增加電源轉換效率和保證良好的 EMC 特性。 過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓以及輸出短路，次級開(kāi)路，光耦失效保護。 4KV 防靜電 ESD 測試。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212應用領(lǐng)域 12W 以下 AC-DC 應用包括：電源適配器、充電器、電磁爐、空調、DVD、機頂盒等家 電產(chǎn)品。 極限參數 供電電壓 VDD ………………………………………………………………… -0.3V--8V 供 電 電 流 VDD …………………………………………………………………. 100mA 引腳電壓 …………………………………………………..... -0.3V--VDD+0.3V 功 率 管 耐 壓 …………………………………………………………... -0.3V--730V IS 最 大 電 壓 ....……………………………………………………………… 400mV 總 耗 散 功 率 ………………………………………………………………1000mW 工作溫度 ………………………………………………………. -25 ? C--+125 ? C 儲存溫度 ………………………………………………………. -55 ? C--+150 ? C 焊接溫度 …………………………………………………………….+280 ? C/5S 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212上電啟動(dòng): 芯片內置高壓?jiǎn)?dòng)電流源；上電啟動(dòng)時(shí)當 VDD 電壓小于啟動(dòng)電壓時(shí)，打開(kāi)三極管對外部的 VDD 儲能電容 C4 充電。當 VDD 電壓達到啟動(dòng)電壓 VCC_St ar t 的時(shí)候，關(guān)閉啟動(dòng)電流源, 啟動(dòng)過(guò)程結束，控制邏輯開(kāi)始輸出 PWM 脈沖并檢測 I S 電阻，當 I S 接電阻 RS 對地時(shí), 設定最大峰值電流 I p_Max=Vli m/ RS(Vli m 是 I C6 腳內部檢測電壓最大值) ；當 I S 腳直接接地時(shí)，設定最大峰值電流為 I p_Max=700mA ； 軟啟動(dòng): 上電啟動(dòng)結束后，為防止輸出電壓建立過(guò)程可能產(chǎn)生的變壓器磁芯飽和，功率管和次級整流管應力過(guò)大，芯片內置軟啟動(dòng)電路，在軟啟動(dòng)時(shí)初級峰值電流最大為 0. 5 倍最大峰值電流。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212采用準諧振輸出方式，當檢測到 OC 諧振到最低電壓時(shí)，開(kāi)通 PWM 輸出，打開(kāi)開(kāi)關(guān)管給電感充電，這樣減小了開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，提高了電源的轉換效率。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212FB 檢測和反饋控制: Fb 引腳外部連接一只電容，以平滑Fb 電壓，外接電容會(huì )影響到電路的反饋瞬態(tài)特性及電路的穩定工作，典型應用可在1nF～10nF 之間選擇；芯片依據FB電壓控制PWM輸出峰值電流和工作頻率。 SLEEP 模式: 為實(shí)現超低待機功耗，芯片設計了 SLEEP 模式時(shí)，當輸出功率逐漸下降到 50mW 以下時(shí)，芯片進(jìn)入 SLEEP 模式�？梢詫�(shí)現系統超低的待機功耗（<60mW）。 自供電： 芯片使用了專(zhuān)利的自供電技術(shù)，控制VDD的電壓在4. 7V 左右，提供芯片本身的電流消耗，無(wú)需外部輔助繞組提供。自供電電路只能提供芯片自身的電流消耗，不能為外部線(xiàn)路提供能量。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212過(guò)溫保護（OTP）： 芯片在內部集成了過(guò)溫保護功能，如果因外部溫度過(guò)高或者其它異常原因造成芯片溫度過(guò)高，檢測到芯片溫度超過(guò) 130℃，立即啟動(dòng)過(guò)溫保護，停止輸出脈沖，關(guān)斷功率管并進(jìn)入異常保護模式，溫度異常解除后恢復正常工作。 初級過(guò)流保護： 外部變壓器初級線(xiàn)圈的電流過(guò)大時(shí)，軟啟動(dòng)結束后，如果在 PWM 開(kāi)通 500ns 時(shí)檢測 到初級線(xiàn)圈電流達到最大峰值電流 I p_Max ，芯片立即關(guān)斷功率管, 進(jìn)入異常保護模式。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212 供電電源異常： 因外部異常導致VCC電壓低于VCC_Mi n 時(shí)，芯片將關(guān)斷功率管，進(jìn)行重新啟動(dòng)。 因外部異常導致VCC電壓高于VCC_Max時(shí)，立即啟動(dòng)VCC過(guò)壓保護，停止輸出脈沖并進(jìn)入異常保護模式。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212短路和過(guò)載保護（OCP）: 次級輸出短路或者過(guò)載時(shí)，如果 FB 電壓連續 0. 8S 低于短路保護閥值 Vf b_L; 芯片 立即關(guān)斷功率管, 進(jìn)入異常保護模式。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212異常保護模式: 芯片進(jìn)入異常保護模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動(dòng) 800ms 定時(shí)器。在 800ms 內，VCC 電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結束異常狀態(tài)。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212異常保護模式: 芯片進(jìn)入異常保護模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動(dòng) 800ms 定時(shí)器。在 800ms 內，VCC 電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結束異常狀態(tài)。 高性能準諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212我們可以通過(guò)磁芯的制造商提供的圖表進(jìn)行選擇，EE19的AP=1243mm^4, EF20 的 AP=2231mm^4, 從設計性能優(yōu)化角度以及為改善EMI 設計增加初、次級屏蔽層來(lái)選擇，可以選擇EF20這款變壓器(AE=33. 5, 屬于標稱(chēng)值，請按實(shí)物測量為準) ，這樣變壓器生產(chǎn)和效率，散熱上更有優(yōu)勢。 |
