12月3日，《自然》雜志發(fā)表了一篇有關(guān)下一代邏輯器件的研究論文，作者包括英特爾、加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道（MESO）邏輯器件。相較于目前的互補金屬氧化物半導體（CMOS），MESO器件結合超低休眠狀態(tài)功率，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。在探求不斷微縮CMOS的同時(shí)，英特爾一直在研究超越CMOS時(shí)代的未來(lái)十年即將出現的計算邏輯選項，推動(dòng)計算能效提升，并跨越不同的計算架構促進(jìn)性能增長(cháng)。
英特爾資深院士兼技術(shù)與制造事業(yè)部探索性集成電路組總監Ian Young表示，“我們正在研究超越CMOS時(shí)代的計算方案，尋求革命性而不是演進(jìn)性的突破。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎，將量子材料創(chuàng )新與計算結合在一起。我們對已經(jīng)取得的進(jìn)展感到非常興奮，并期待著(zhù)發(fā)揮其潛力，未來(lái)做出進(jìn)一步降低翻轉電壓的演示�！� 英特爾研究人員發(fā)明的MESO器件，考慮到了未來(lái)計算所需的關(guān)于存儲器、互連線(xiàn)和邏輯的要求。英特爾已經(jīng)做出了該MESO器件的原型，采用的是在室溫下呈現新興量子行為的量子材料，以及由Ramamoorthy Ramesh開(kāi)發(fā)的磁電材料（Ramamoorthy Ramesh就任于加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實(shí)驗室）。MESO還利用了由Albert Fert描述的自旋軌道超導效應（Spin-orbit transduction effects，Albert Fert就任于法國國家科學(xué)研究院/泰雷茲集團聯(lián)合物理研究組）。 英特爾功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學(xué)家Sasikanth Manipatruni表示：“MESO器件基于室溫量子材料開(kāi)發(fā)。它展現了該技術(shù)的可能性，并有望在業(yè)界、學(xué)術(shù)界和各國家實(shí)驗室中引發(fā)新一輪創(chuàng )新。而這種新型計算器件和架構所需的許多關(guān)鍵材料和技術(shù)，還需要進(jìn)行更多開(kāi)發(fā)�！� |
