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不久前臺積電公司公布自己轉向450mm技術(shù)后，巴克萊公司分析師 CJ Muse最近發(fā)表了其對450mm技術(shù)未來(lái)走向的新預測，他認為450mm技術(shù)的大潮將在2018年以前來(lái)臨，不過(guò)在此之前各大芯片制造廠(chǎng)商會(huì )先完成其它 幾項重要的技術(shù)革新，主要是3DIC用TSV穿硅互聯(lián)技術(shù)以及EUV光刻技術(shù)。 當初EUV的主推者，Intel，三星以及臺積電這三巨頭曾信誓旦旦稱(chēng)要在2012年開(kāi)始基于EUV光刻技術(shù)的試生產(chǎn)，不過(guò)由于光刻設備廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)進(jìn)度緩慢，加上又遭遇全球半導體市場(chǎng)不景氣的情況，三巨頭已經(jīng)很久沒(méi)有公布有關(guān)EUV技術(shù)方面的進(jìn)展了。不過(guò)最近Intel宣布新建的兩家芯片廠(chǎng)Fab D1X（俄勒岡）和Fab14（亞利桑那）都將支持450mm技術(shù)，而臺積電則公開(kāi)宣稱(chēng)將在2015-2016年開(kāi)始量產(chǎn)基于450mm技術(shù)的芯片產(chǎn)品，引來(lái)業(yè)界一片“450mm又開(kāi)始死灰復燃”的猜疑聲。不僅如此，過(guò)去對450mm技術(shù)十分抵觸的半導體制造用設備廠(chǎng)商也開(kāi)始公開(kāi)肯定450mm技術(shù) 雖然高端半導體廠(chǎng)商的資本投資力度正在逐漸加強，不過(guò)Muse認為廠(chǎng)商會(huì )在轉向450mm之前首先完成其它技術(shù)的升級，升級的順序將是TSV穿硅互聯(lián)技術(shù)的升級在先，而后是將193nm液浸式光刻技術(shù)升級到EUV光刻技術(shù)（預計在20nm節點(diǎn)左右液浸式光刻便會(huì )無(wú)法滿(mǎn)足要求），最后才是300mm到450mm技術(shù)的升級，之所以將450mm放在最后，原因之一是450mm技術(shù)可以幫助芯片廠(chǎng)商降低制造成本，而且芯片制造商提高資本投資力度購買(mǎi)EUV/TSV用設備也可以令設備廠(chǎng)商的經(jīng)濟狀況更好，這樣才有余力研發(fā)450mm技術(shù)。 “這有點(diǎn)像先有雞還是先有蛋的問(wèn)題，不過(guò)我們認為芯片廠(chǎng)商會(huì )幫助設備廠(chǎng)商進(jìn)行設備研發(fā)，共同分享在目前的資本投資黃金期所獲得的高額資金注入。根據Muse的粗略估算，完成450mm技術(shù)升級大概會(huì )形成總值400億美元的設備市場(chǎng)，其中15%會(huì )被花在技術(shù)研發(fā)方面，當然前提條件是芯片廠(chǎng)商愿意向450mm項目投資數十億美元。 最后，Muse對誰(shuí)將從450mm的技術(shù)升級中獲益最大則無(wú)法下定論。增加晶圓的表面積意味著(zhù)那些射束型生產(chǎn)設備（如光刻機，離子注入機，以及參數測試類(lèi)工具等無(wú)法一次處理整個(gè)晶圓的設備）需要進(jìn)行改型，以保證在450mm晶圓上制作/測試芯片時(shí)的產(chǎn)品產(chǎn)出速度與300mm類(lèi)似，這樣這類(lèi)設備的生產(chǎn)商就需要增加資金投入。而真空處理設備類(lèi)的廠(chǎng)家則不會(huì )過(guò)多受到轉向450mm技術(shù)的影響。 ”就像爭論頗多的EUV光刻技術(shù)一樣，450mm也是一個(gè)充滿(mǎn)歧見(jiàn)的技術(shù)。不過(guò)如果芯片廠(chǎng)商有決心同時(shí)又愿意進(jìn)行投資，那么450mm技術(shù)將很快成為主流�！� |
